CN111834455A 增强型高电子迁移率晶体管及其制作方法 （西安电子科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN111834455A

(43)申请公布日2020.10.27

(21)申请号202010735924.1

(22)申请日2020.07.28

(71)申请人西安电子科技大学

地址710071陕西省西安市太白南路2号

(72)发明人毛维高北鸾马佩军杜鸣

张春福张金风周弘刘志宏张进成郝跃

(74)专利代理机构陕西电子工业专利中心

61205

代理人王品华

(51)Int.CI.

HO1LHO1L

HO1LHO1L

29/778(2006.01)

21/335(2006.01)29/06(2006.01)

29/423(2006.01)

权利要求书3页说明书15页

附图6页

(54)发明名称

增强型高电子迁移率晶体管及其制作方法

(57)摘要

CN111834455A本发明公开了一种增强型高电子迁移率晶体管及其制作方法，主要解决现有功率开关器件存在阈值电压低和实现高击穿电压时工艺复杂的问题，其包括：衬底(1)、过渡层(2)、势垒层(3)、栅槽(4)、漏槽(5)、P型层(6)、P型漏柱(7)、栅柱(9)、源极(11)、台面(14)、栅极(15)和钝化层(16)。栅柱内部设有N型排柱(8);栅柱左侧的势垒层内与P型漏柱右侧的势垒层内均设有阵列孔(10);P型漏柱右侧设有欧姆接触(12),P型漏柱与欧姆接触共同组成漏极(13);钝化层上部设有复合板(17);钝化层和复合板的外围设有保护

CN111834455A

复合板17

复合板17

保护层18

左调酬饭

钝化层16栅柱9

操极15

源极11

阵列

过渡层2

衬底1

(2n-1个)独立金属块N型排柱8

势垒层3

P型层6栅槽4

P型漏柱7

漏极13

CN111834455A权利要求书1/3页

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1.一种增强型高电子迁移率晶体管，自下而上包括：衬底(1)、过渡层(2)、势垒层(3)和钝化层(16);势垒层(3)的侧面刻有台面(14),势垒层(3)上部的两边分别设有栅柱(9)和P型漏柱(7);栅柱(9)的上面淀积有栅极(15),其左侧淀积有源极(11);P型漏柱(7)的下部刻有漏槽(5),其右侧淀积有欧姆接触(12),其特征在于：

所述P型漏柱(7)和欧姆接触(12)电气连接，且共同组成漏极(13),P型漏柱(7)的下端完全填充在漏槽(5)内；

所述栅柱(9)由栅槽(4)内的P型层(6)和栅槽(4)上部的P型层(6)组成，且P型层(6)的下端完全填充在栅槽(4)内；该栅柱(9)内部注入有N型排柱(8),该N型排柱(8)是由m个等间距且大小相同的长方形N柱(81)组成，m0;

所述P型漏柱(7),其右侧的势垒层(3)内和栅柱(9)左侧的势垒层(3)内均刻蚀有阵列孔(10);

所述钝化层(16),其上部在栅柱(9)和P型漏柱(7)之间的区域刻蚀有2n+1个大小相同的凹槽；凹槽上设有复合板(17),n≥1;

所述复合板(17),由左调制板、右调制板和2n-1个大小相同的独立金属块构成，且下端完全填充在2n+1个凹槽内，该左调制板与源极(11)电气连接，右调制板与漏极(13)电气连接，各独立金属块彼此悬空，左调制板与栅极(15)在水平方向上交叠，右调制板与P型漏柱(7)在水平方向上交叠，左调制板和右调制板以第n个独立金属块为中心呈左右对称分布；该复合板(17)和钝化层(16)的外围均设有保护层(18)。

2.根据权利要求1所述的器件，其特征在于栅槽(4)的长度a?大于等于2nm,其深度小于势垒层(3)的厚度，深度z?为2～50nm。

3.根据权利要求1所述的器件，其特征在于漏槽(5)的长度a?大于等于2nm,其深度小于势垒层(3)的厚度，深度z?为2～50nm,漏槽(5)的左边缘与P型漏柱(7)的左边缘间距b?大于等于2nm。

4.根据权利要求1所述的器件，其特征在于P型层(6)的厚度h为20～1000nm,其掺杂浓度为1×101?~5×102?cm?3,其下端完全填充在栅槽(4)内。

5.根据权利要求1所述的器件，其特征在于：所述N型排柱(8)的深度为y?,P型层(6)的厚度为h,yih,N型排柱(8)的掺杂浓度为1×101?~5×102?cm?3,且N型排柱(8)的掺杂浓度大于等于P型层(6)的掺杂浓度。

6.根据权