CN111834455B 增强型高电子迁移率晶体管及其制作方法 （西安电子科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(45)授权

(10)授权公告号CN111834455B公告日2021.04.27

(21)申请号202010735924.1

(22)申请日2020.07.28

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN111834455A

(43)申请公布日2020.10.27

(73)专利权人西安电子科技大学

地址710071陕西省西安市太白南路2号

(72)发明人毛维高北鸾马佩军杜鸣

张春福张金风周弘刘志宏张进成郝跃

(74)专利代理机构陕西电子工业专利中心

61205

代理人王品华

H01L29/06(2006.01)

H01L29/423(2006.01)

(56)对比文件

CN104393035A,2015.03.04

JP2005327827A,2005.11.24

CN101414629A,2009.04.22

JP3752796B2,2006.03.08

CN104393048A,2015.03.04

CN104393044A,2015.03.04

YingWang,Lin-AnYang,Wei

Mao.ModulationofMultidomaininAlGaN/GaN.《IEEETRANSACTIONSONELECTRON

DEVICES》.2013,

毛维等.Reverseblocking

characteristicsandmechanismsin

Schottky-drain.《ChinesePhysicsB》.2016,审查员刘立平

权利要求书3页说明书15页附图6页

(51)Int.CI.

HO1L

HO1L

29/778(2006.01)

21/335(2006.01)

(54)发明名称

增强型高电子迁移率晶体管及其制作方法

(57)摘要

CN111834455B本发明公开了一种增强型高电子迁移率晶体管及其制作方法，主要解决现有功率开关器件存在阈值电压低和实现高击穿电压时工艺复杂的问题，其包括：衬底(1)、过渡层(2)、势垒层(3)、栅槽(4)、漏槽(5)、P型层(6)、P型漏柱(7)、栅柱(9)、源极(11)、台面(14)、栅极(15)和钝化层(16)。栅柱内部设有N型排柱(8);栅柱左侧的势垒层内与P型漏柱右侧的势垒层内均设有阵列孔(10);P型漏柱右侧设有欧姆接触(12),P型漏柱与欧姆接触共同组成漏极(13);钝化层上部设有复合板(17);钝化层和复合板的外围设有保护

CN111834455B

复合板17

复合板17

保护层18

左调酬板

凹槽

橙极15

(2n-1个)独立金属块

P型层6N型排柱8栅槽4

过渡层2

衬底1

P型漏柱7

欧姆接4漏槽5

钝化层16栅柱9

源极1

势垒层3

漏极13

CN111834455B权利要求书1/3页

2

1.一种增强型高电子迁移率晶体管，自下而上包括：衬底(1)、过渡层(2)、势垒层(3)和钝化层(16);势垒层(3)的侧面刻有台面(14),势垒层(3)上部的两边分别设有栅柱(9)和P型漏柱(7);栅柱(9)的上面淀积有栅极(15),其左侧淀积有源极(11);P型漏柱(7)的下部刻有漏槽(5),其右侧淀积有欧姆接触(12),其特征在于：

所述P型漏柱(7)和欧姆接触(12)电气连接，且共同组成漏极(13),P型漏柱(7)的下端完全填充在漏槽(5)内；

所述栅柱(9)由栅槽(4)内的P型层(6)和栅槽(4)上部的P型层(6)组成，且P型层(6)的下端完全填充在栅槽(4)内；该栅柱(9)内部注入有N型排柱(8),该N型排柱(8)是由m个等间距且大小相同的长方形N柱(81)组成，m0;

所述P型漏柱(7),其右侧的势垒层(3)内和栅柱(9)左侧的势垒层(3)内均刻蚀有阵列孔(10);

所述钝化层(16),其上部在栅柱(9)和P型漏柱(7)之间的区域刻蚀有2n+1个大小相同的凹槽；凹槽上设有复合板(17),n≥1;

所述复合板(17),由左调制板、右调制板和2n-1个大小相同的独立金属块构成，且下端完全填充在2n+1个凹槽内，该左调制板与源极(11)电气连接，右调制板与