CN111884593B 一种基于hemt的环形开口太赫兹幅度调制器和制作方法 （重庆邮电大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(45)授权

(10)授权公告号CN111884593B公告日2021.04.20

(21)申请号202010772341.6

(22)申请日2020.08.04

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN111884593A

(43)申请公布日2020.11.03

(73)专利权人重庆邮电大学

地址400000重庆市南岸区南山街道崇文

路2号

(72)发明人马勇潘武杨力豪杨龙亮何金橙肖惠云

(74)专利代理机构成都行之专利代理事务所(普通合伙)51220

代理人李朝虎

GO2F1/01(2006.01)

(56)对比文件

CN109814283A,2019.05.28

CN104465342A,2015.03.25

US2017236912A1,2017.08.17

WO2019077782A1,2019.04.25

EP0606776A2,1994.07.20

CN110426867A,2019.11.08

YunchengZhao.THzmodulatorsbasedontheactiveGaN-HEMTmetasurface.《2018

43rdInternationalConferenceon

Infrared,Millimeter,andTerahertzWaves(IRMMW-THz)》.2018,1-3.

潘武.太赫兹硅基微环谐振器的设计与分析.《激光与红外》.2015,第45卷(第5期),571-575.

审查员鲍旭恒

权利要求书2页说明书5页附图5页

(51)Int.CI.

HO3C

HO3CH04L

1/00(2006.01)

1/36(2006.01)27/04(2006.01)

(54)发明名称

一种基于HEMT的环形开口太赫兹幅度调制器和制作方法

(57)摘要

CN111884593B本发明公开了一种基于HEMT的环形开口太赫兹幅度调制器及其制作方法，包括：半导体衬底、位于半导体衬底表面的外延层，外延层上设置有调制阵列、肖特基电极和欧姆电极；所述调制阵列由M×N个调制阵元周期排列组成，调制阵元由4个开口圆环形的结构单元构成，结构单元开口处匹配一个高电子迁移率晶体管，高电子迁移率晶体管的栅极通过栅极馈线与肖特基电极连接后连接电源负极，高电子迁移率晶体管的源极和漏极分别连接结构单元开口的两侧，结构单元通过源漏馈线与欧姆电极连接后连接电源正极。通过外加偏置电压控制高电子迁移率晶体管来进行超表面谐振模式的转换，实现对自由空间

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CN111884593B权利要求书1/2页

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1.一种基于HEMT的环形开口太赫兹幅度调制器，其特征在于，包括：半导体衬底(1)、位于半导体衬底表面的外延层(2),外延层上设置有调制阵列(3)、肖特基电极(4)和欧姆电极(5);

所述调制阵列(3)由M×N个调制阵元(31)周期排列组成，其中M为调制阵元(31)纵向排列周期数，N为调制阵元(31)横向排列周期数；

每个调制阵元(31)由4个开口圆环形的结构单元(311)构成，调制阵元(31)中的4个结构单元(311)呈正方形排列，在结构单元(311)距离调制阵元中心最近的位置设置开口，每个调制阵元中开口位置呈中心对称，每个结构单元(311)开口处匹配一个高电子迁移率晶体管(6),所述高电子迁移率晶体管(6)的栅极通过栅极馈线(7)与肖特基电极(4)连接，高电子迁移率晶体管(6)的源极和漏极分别连接结构单元(311)开口的两侧，结构单元(311)通过源漏馈线(8)与欧姆电极(5)连接；肖特基电极(4)连接电源负极，欧姆电极(5)连接电源正极。

2.根据权利要求1所述的一种基于HEMT的环形开口太赫兹幅度调制器，其特征在于，调制阵元(31)中的4个结构单元(311)呈正方形排列，相邻两结构单元的圆心距为：115μm~125μm;

结构单元(311)的外半径为：45μm～55μm,结构单元(311)环宽为：10μm～25μm,结构单元(311)厚度为：0.2μm～1μm;

在结构单元(311)距离调制阵元中心最近的位置设置开口，开口宽为：2μm～6μm;每个调制阵元中开口位