CN111863953B 功率开关器件及其制作方法 （西安电子科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(45)授权

(10)授权公告号CN111863953B公告日2021.08.20

(21)申请号202010735925.6

(22)申请日2020.07.28

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN111863953A

(43)申请公布日2020.10.30

(73)专利权人西安电子科技大学

地址710071陕西省西安市太白南路2号

(72)发明人毛维高北鸾杜鸣赵胜雷

马佩军张雅超何晓宁张进成马晓华郝跃

(74)专利代理机构陕西电子工业专利中心

61205

代理人王品华

(51)Int.CI.

HO1L29/423(2006.01)

H01L29/40(2006.01)

H01L29/06(2006.01)

H01L21/335(2006.01)

HO1L29/778(2006.01)

(56)对比文件

CN104465686A,2015.03.25

CN111063735A,2020.04.24

CN111261714A,2020.06.09CN110112214A,2019.08.09审查员郑钰

权利要求书3页说明书14页附图6页

(54)发明名称

功率开关器件及其制作方法

(57)摘要

CN111863953B本发明公开了一种功率开关器件及其制作方法，主要解决现有功率开关器件存在的阈值电压低和实现高击穿电压时工艺复杂的问题，其包括：衬底(1)、过渡层(2)、势垒层(3)、第一栅柱(6)、第二栅柱(7)、源极(9)、漏极(10)、台面(11)、第一栅极(12)、第二栅极(13)和钝化层(14)。第一栅柱和第二栅柱均由P型层(4)和N型层(5)组成；N型层由N型层(51)和N型层(52)组成；第一栅柱左侧的势垒层内和第二栅柱右侧的势垒层内均刻蚀有阵列孔(8);钝化层上部设有复合板(15);钝化层和复合板的外围设有保护层

CN111863953B

复合板15

复合板15

保护层16

左调晰板

钝化层14

第二慢613第二棚柱

第一槛柱6

N型层si

N型层5P型层4漏极10

个阵列孔8

台面11

过渡层2

衬底1

P型层4N型层5

势垒层3

源极9

阵列孔8

(2n-1个)独立金属块

右湖制板

CN111863953B权利要求书1/3页

2

1.一种功率开关器件，自下而上包括：衬底(1)、过渡层(2)、势垒层(3)和钝化层(14);势垒层(3)的侧面刻有台面(11),势垒层(3)上部的两边分别设有第一栅柱(6)和第二栅柱(7);第一栅柱(6)的上面淀积有第一栅极(12),其左侧淀积有源极(9);第二栅柱(7)上面淀积有第二栅极(13),其右侧淀积有漏极(10);第一栅柱(6)左侧的势垒层(3)内和第二栅柱(7)右侧的势垒层(3)内均刻蚀有阵列孔(8),其特征在于：

所述第一栅柱(6)和第二栅柱(7)为大小相同的长方体，其均由P型层(4)和N型层(5)组成；

所述N型层(5)由下部的N型层(51)和上部的N型层(52)组成；

所述N型层(51)与P型层(4)形成PN结，且每一个栅柱的PN结大小相同；

所述钝化层(14),其在第一栅柱(6)和第二栅柱(7)之间的区域上刻蚀有2n+1个大小相同的凹槽，n≥1;其上部设有复合板(15);

所述复合板(15),由左调制板、右调制板和2n-1个大小相同的独立金属块构成，且下端完全填充在2n+1个凹槽内，该左调制板与源极(9)电气连接，右调制板与漏极(10)电气连接，各独立金属块彼此悬空；左调制板和右调制板以第n个独立金属块为中心呈左右对称分布，n≥1;

所述源极(9)与漏极(10)分别覆盖并完全填充阵列孔(8);

所述钝化层(14)和复合板(15)的外围设有保护层(16)。

2.根据权利要求1所述的器件，其特征在于源极(9)和漏极(10)的长度为L?,宽度为W。

3.根据权利要求1所述的器件，其特征在于：

所述阵列孔(8),由f×g个大小相同的孔组成，f1,g1,每个孔由上部的长方体孔柱(81)和下部的四棱锥(82)构成，相邻两个孔的间距k?为0.5～3μm,最外围孔与源极(9)或漏极(10)的边界间距k?为1～4μm;

所述孔柱(81)的上表面和下表面均为正方形