CN111868008A 以碳化硅制作具有受控孔隙率的多孔预成型件的方法以及碳化硅多孔预成型件 （福乐尼·乐姆宝公开有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN111868008A

(43)申请公布日2020.10.30

(21)申请号201880086610.4

(22)申请日2018.12.18

(30)优先权数据

1020170001474882017.12.20IT

(85)PCT国际申请进入国家阶段日

2020.07.15

(86)PCT国际申请的申请数据

PCT/IB2018/0602162018.12.18

(87)PCT国际申请的公布数据

WO2019/123223EN2019.06.27

(71)申请人福乐尼·乐姆宝公开有限公司地址意大利贝加莫

申请人国家新技术、能源和可持续经济发展局(ENEA)

(72)发明人马蒂亚·阿莱马尼

马里奥·蒂罗尼

朱塞佩·马尼亚尼

费代丽卡·布尔焦

(74)专利代理机构成都超凡明远知识产权代理有限公司51258

代理人王晖吴莎

(51)Int.CI.

C04B35/573(2006.01)

F16D65/12(2006.01)

C04B35/645(2006.01)

C04B38/00(2006.01)

权利要求书3页说明书16页附图4页

(54)发明名称

以碳化硅制作具有受控孔隙率的多孔预成型件的方法以及碳化硅多孔预成型件

(57)摘要

本发明涉及以碳化硅制作具有受控孔隙率的多孔预成型件的方法。该方法包括操作步骤：-a)使许多碳化硅粉末在模具中成型，以获得具有初始孔隙率φ1的半制成预成型件；-b)在惰性气氛中于1,600℃至2,000℃的范围中的温度处对所述半制成预成型件进行预烧结，以获得具有比初始孔隙率(φ1)高的中间孔隙率(φ2)的经预烧结的预成型件；-c)使所述经预烧结的预成型件经受一个或多个热处理循环。每个热处理循环依次包括：-在空气中于700℃至1,250℃范围中的温度处进行氧化的子阶段c1);和-在1,600℃

CN111868008A至2,000℃的范围中的温度处进行部分烧结的子阶段c2)。在前述步骤c)之后，获得了具有最终孔隙率φ3的至少部分经烧结碳化硅的多孔预成型件，该最终孔隙率φ3比所述经烧结的预成型件

CN111868008A

烧结碳化硅的多孔预成型件中获得的最终孔隙率φ3的值来限定待对所述经预烧结的预成型件执行的热处理循环的次数，以便控制多孔预成型件的最终孔隙率值φ3。

成型压力(t/cm2)

CN111868008A权利要求书1/3页

2

1.一种以碳化硅制作具有受控孔隙率的多孔预成型件的方法，所述方法包括以下步骤：

a)使许多碳化硅粉末在模具中成型，以获得具有初始孔隙率(φ1)的半制成预成型件；

b)在惰性气氛中、于1,600℃至2,000℃的范围中的温度处对所述半制成预成型件进行预烧结，以获得具有比所述初始孔隙率(φ1)高的中间孔隙率(φ2)的经预烧结的预成型件；

c)使所述经预烧结的预成型件经受一个或多个热处理循环，每个热处理循环依次包括：

-在空气中、于700℃至1,250℃范围中的温度处进行氧化的子阶段c1);和

-在1,600℃至2,000℃的范围中的温度处进行部分烧结的子阶段c2),

其中，在所述步骤c)之后，获得具有最终孔隙率(φ3)的至少部分经烧结碳化硅的多孔预成型件，所述最终孔隙率比所述经烧结的预成型件的所述中间孔隙率(φ2)高，每个热处理循环使所述预成型件的孔隙率逐渐增大，根据待在所述至少部分经烧结碳化硅的多孔预成型件中获得的最终孔隙率(φ3)的值来限定待对所述经预烧结的预成型件执行的热处理循环的次数，以便控制所述多孔预成型件的所述最终孔隙率值(φ3)。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，随着所述热处理循环的次数的增大，至少部分经烧结碳化硅的所述多孔预成型件的待获得的最终孔隙率(φ3)从所述半制成预成型件的所述初始孔隙率值(φ1)开始基本上线性地增大。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，一旦建立了所述半制成预成型件的所述初始孔隙率值(φ1),在将至少部分经烧结碳化硅的多孔预成型件的所述最终孔隙率(φ3)与所述热处理循环的次数相关的实验性曲线的基础上，根据待在至少部分经烧结碳化硅的多孔预成型件中获得的所述最终孔隙率值(φ3)来预限定待对所述经预烧结的预成型件执行的所述热处理循环的次数。

4