CN111856783B 光器件及其制作方法 (韩国科学技术院).docxVIP

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  • 2026-02-08 发布于重庆
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CN111856783B 光器件及其制作方法 (韩国科学技术院).docx

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN111856783B(45)授权公告日2025.03.14

(21)申请号201911127858.3

(22)申请日2019.11.18

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN111856783A

(43)申请公布日2020.10.30

(30)优先权数据

(51)Int.CI.

GO2F1/01(2006.01)

GO2F1/19(2019.01)

(56)对比文件

KR20180082305A,2018.07.18US2011134348A1,2011.06.09

US2016380121A1,2016.12.29

审查员钟杰

审查员钟杰

(73)专利权人韩国科学技术院地址韩国大田

(72)发明人蒋畋锡韩相億金信昊

(74)专利代理机构成都超凡明远知识产权代理

有限公司51258专利代理师金相允洪玉姬

权利要求书2页说明书7页附图10页

(54)发明名称

光器件及其制作方法

(57)摘要

CN111856783B本发明涉及光器件及其制作方法,更详细地,涉及如下的光器件,即,上述光器件包括:下部电极;绝缘膜,形成于上述下部电极上;多个上部电极,形成于上述绝缘膜上;以及多个可变电导率图案,在上述绝缘膜上,分别与多个上述上部电极相邻配置。多个上述上部电极包括交替排列的多个第一电极及第二电极,多个上述第一电极之间的间距与多个上述第二电极之间的间距相同,相邻的多个上述第一电极之间配置上述第二电极相邻的多个上述第一电极中的一个与上述第二电极之间的距离为第一距离,相邻的多个上述第一电极中的另一个与上述第二电极之间

CN111856783B

CN111856783B权利要求书1/2页

2

1.一种光器件,其特征在于,

包括:

下部电极;

绝缘膜,形成于上述下部电极上;

多个上部电极,形成于上述绝缘膜上;以及

多个可变电导率图案,在上述绝缘膜上,分别与多个上述上部电极相邻配置,多个上述可变电导率图案的导电率根据向多个上述上部电极施加的电压而改变,

多个上述可变电导率图案包含具有至少一个层的石墨烯,

多个上述上部电极包括交替排列的多个第一电极和第二电极,

多个上述第一电极之间的间距与多个上述第二电极之间的间距相同,

在相邻的多个上述第一电极之间配置多个上述第二电极,

相邻的多个上述第一电极中的一个与上述第二电极之间的距离为第一距离,

相邻的多个上述第一电极中的另一个与上述第二电极之间的距离为第二距离,上述第二距离与上述第一距离互不相同,

多个上述可变电导率图案包括分别与上述第一电极及上述第二电极相邻配置的多个第一可变电导率图案及多个第二可变电导率图案,多个上述第一电极及多个上述第二电极具有相同的第一宽度,多个上述第一可变电导率图案分别具有第二宽度,多个上述第二可变电导率图案分别具有与上述第二宽度不同的第三宽度,

上述第三宽度大于上述第二宽度,上述第二宽度是上述第一距离的一半,上述第三宽度是上述第二距离的一半,

多个上述第一可变电导率图案与多个上述第一电极相结合,多个上述第二可变电导率图案与多个上述第二电极相结合,

在向多个上述第一电极施加第一电压且向多个上述第二电极施加不同于上述第一电压的第二电压时,向多个上述第一可变电导率图案和多个上述第二可变电导率图案提供不同的费米能。

2.根据权利要求1所述的光器件,其特征在于,

多个上述第一可变电导率图案直接与上述第一电极的一侧相接触,

多个上述第二可变电导率图案直接与上述第二电极的一侧相接触。

3.根据权利要求2所述的光器件,其特征在于,

多个上述第一可变电导率图案与相邻的上述第二电极隔开,

多个上述第二可变电导率图案分别与相邻的上述第一电极隔开。

4.根据权利要求1所述的光器件,其特征在于,

多个上述第一可变电导率图案均与相邻的上述第一电极及上述第二电极隔开,

多个上述第二可变电导率图案均与相邻的上述第一电极及上述第二电极隔开。

5.根据权利要求1所述的光器件,其特征在于,上述下部电极呈平板形态。

6.根据权利要求1所述的光器件,其特征在于,

上述上部电极呈沿着第一方向延伸的线形态,

多个上述可变电导率图案沿着上述上部电极向上述第一方向延伸。

7.根据权利要求1所述的光器件,其特征在于,

CN111856783B

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