CN111863952A 常关型氮化镓基器件及其制作方法 （西安电子科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(43)申请公

(10)申请公布号CN111863952A布日2020.10.30

(21)申请号202010735341.9

(22)申请日2020.07.28

(71)申请人西安电子科技大学

地址710071陕西省西安市太白南路2号

(72)发明人毛维王海永杨翠郝跃

(74)专利代理机构陕西电子工业专利中心

61205

代理人王品华

(51)Int.CI.

HO1L29/423(2006.01)

HO1L29/06(2006.01)

H01L21/335(2006.01)

HO1L29/778(2006.01)

权利要求书2页说明书7页附图3页

(54)发明名称

常关型氮化镓基器件及其制作方法

L

L

保护层11栅柱6

源极7P型层4N型排柱5

势垒层3

过渡层2

栅极10

漏极8

台面9

CN111863952A(57)摘要衬底1本发明公开了一种常关型氮化镓基器件及其制作方法，主要解决现有功率开关器件存在的阈值电压低的问题，其自下而上包括：衬底(1)、过渡层(2)、势垒层(3)和保护层(11),势垒层(3)的侧面刻有台面(9),势垒层(3)的上部设有栅柱(6);栅柱(6)的左右侧分别淀积有源极(7)和漏极(8),栅柱(6)的上部淀积有栅极(10)。该栅柱(6)由P型层(4)和N型排柱(5)组成，N型排柱(5)是由若干个长方形N柱组成。本发明具有阈值电

CN111863952A

(57)摘要

衬底1

CN111863952A权利要求书1/2页

2

1.一种常关型氮化镓基器件，自下而上包括：衬底(1)、过渡层(2)、势垒层(3)、保护层(11);势垒层(3)的侧面刻有台面(9),势垒层(3)的上部设有栅柱(6);栅柱(6)的左右侧分别淀积有源极(7)和漏极(8),其上部淀积有栅极(10),其特征在于：

所述栅柱(6)由P型层(4)和N型排柱(5)组成，且外围设有保护层(11),该N型排柱(5)包括m个等间距且大小相同的长方形N柱，m0。

2.根据权利要求1所述的器件，其特征在于所述栅柱(6)的长度L≥4nm,栅极(10)的长度等于栅柱(6)的长度L。

3.根据权利要求1所述的器件，其特征在于所述栅柱(6)中每一个长方形N柱的宽度01相同；相邻两个长方形N柱的间距为02,第一个长方形N柱的左边缘与栅柱(6)的左边缘重合，第m个长方形N柱与栅柱(6)的右边缘间距为03,0?=02=03,且(2m)×0?=L。

4.根据权利要求1所述的器件，其特征在于所述P型层(4)的厚度h为20～1000nm,N型排柱(5)的深度为u,0uh。

5.根据权利要求1所述的器件，其特征在于：

所述P型层(4)的掺杂浓度为1×101?~5×102cm?3,N型排柱(5)的掺杂浓度为1×1016~5×102cm?3,且N型排柱(5)的掺杂浓度大于或等于P型层(4)的掺杂浓度。

6.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述栅极(10)采用多层金属组合，且最下层金属的功函数小于5eV,该最下层金属与N型排柱(5)中每个长方形N柱接触形成的势垒高度小于其与P型层(4)接触形成的势垒高度。

7.一种制作常关型氮化镓基器件的方法，其特征在于，包括如下步骤：

A)在衬底(1)上采用金属有机物化学气相淀积技术外延GaN基宽禁带半导体材料，形成厚度为1～10μm的过渡层(2);

B)在过渡层(2)上采用金属有机物化学气相淀积技术外延GaN基宽禁带半导体材料，形成厚度为4～60nm的势垒层(3);

C)在势垒层(3)上采用外延淀积技术外延P型GaN半导体材料，形成厚度为20～1000nm、掺杂浓度为5×101?~5×102?cm?3的P型层(4);

D)在P型层(4)上第一次制作掩膜，利用该掩膜在P型层(4)的两侧进行刻蚀，且刻蚀至势垒层(3)上表面为止，形成长度L≥4nm的栅柱(6);

E)制作N型排柱(5):

在栅柱(6)上第二次制作掩膜，利用该掩膜在P型层(4)内部使用离子注入技术注入N型杂质，形成m个等间距且大小相同的长方形N柱，这m个长方形N柱形成N型排柱(5);

F)制作源极(7)和漏极(8):

在势垒层(3)和栅柱(6)的上部第三次