CN111890817B 多层镀层光学防伪元件及其制作方法 （中钞特种防伪科技有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(45)授权

(10)授权公告号CN111890817B公告日2022.03.22

(21)申请号201910368308.4

(22)申请日2019.05.05

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN111890817A

(43)申请公布日2020.11.06

(73)专利权人中钞特种防伪科技有限公司

地址100070北京市丰台区科学城星火路6

号

专利权人中国印钞造币总公司

(72)发明人胡春华张巍巍张宝利朱军

(74)专利代理机构北京润平知识产权代理有限

公司11283代理人肖冰滨王晓晓

(51)Int.CI.

B42D25/29(2014.01)

B42D25/24(2014.01)

B42D25/21(2014.01)

B42D25/373(2014.01)

B42D25/30(2014.01)

B42D25/36(2014.01)

B42D25/415(2014.01)

B42D25/45(2014.01)

审查员任丛丛

权利要求书3页说明书14页附图7页

(54)发明名称

多层镀层光学防伪元件及其制作方法

(57)摘要

CN111890817B本发明提供一种光学防伪元件，属于光学防伪技术领域。该光学防伪元件包括：起伏结构层；所述起伏结构层包括：具有第一微结构的第一区域和具有第二微结构的第二区域；所述第二微结构的结构参数大于所述第一微结构的结构参数；所述起伏结构层还包括具有第三微结构的第三区域；所述第三微结构的结构参数大于所述第二微结构的结构参数；所述第一区域上设置有第一镀层；所述第二区域上设置有第二镀层；所述第三区域不设置所述第一镀层或所述第二镀层；从光学防伪元件的一侧观察，所述第一区域具有所述第一微结构和所述第一镀层结合的光学特征、所述第二区域具有所述第二微结构和所述第二

CN111890817B

CN111890817B权利要求书1/3页

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1.一种光学防伪元件，其特征在于，包括：

起伏结构层(2);

所述起伏结构层(2)包括：具有第一微结构的第一区域(A)和具有第二微结构的第二区域(B);

所述第二微结构的结构参数大于所述第一微结构的结构参数，所述结构参数为深宽比或比体积；

所述第一区域(A)上设置有第一镀层(3)和在所述第一镀层(3)上的第一保护层(4);所述第一保护层(4)上和所述第二区域(B)上设置有第二镀层(5);

所述第二镀层(5)与所述第一镀层(3)是两种不同的镀层；

所述第一区域(A)具有所述第一微结构和所述第一镀层(3)结合的光学特征；

所述第二区域(B)具有所述第二微结构和所述第二镀层(5)结合的光学特征。

2.根据权利要求1所述的光学防伪元件，其特征在于，

所述第一微结构或所述第二微结构为：周期性结构和非周期性结构中的一种结构，或周期性结构和非周期性结构组合的结构；

所述第一微结构或所述第二微结构沿延展方向的截面结构为：平坦结构、正弦型结构、矩形光栅结构、梯形光栅结构、闪耀光栅结构、弧形光栅结构中的一种结构，或平坦结构、正弦型结构、矩形光栅结构、梯形光栅结构、闪耀光栅结构、弧形光栅结构中至少任意两种结构组合的结构。

3.根据权利要求1所述的光学防伪元件，其特征在于，还包括：

所述第二微结构的结构次级参数大于所述第一微结构的结构次级参数；

所述结构参数为深宽比和比体积中选定的一种参数；

所述结构次级参数相对所述结构参数为所述深宽比和所述比体积中剩余的一种参数。

4.根据权利要求1或3所述的光学防伪元件，其特征在于，

所述结构参数为深宽比；

所述第一微结构的深宽比的范围为大于等于0且小于0.3;

所述第二微结构的深宽比的范围为大于0.2且小于0.5。

5.根据权利要求1或3所述的光学防伪元件，其特征在于，

所述结构参数为比体积；

所述第一微结构的比体积的范围为大于等于0um3/um2且小于0.5um3/um2;

所述第二微结构的比体积的范围为大于0.4um3/um2且小于2um3/um2。

6.根据权利要求1所述的光学防伪元件，其特征在于，

所述第一镀层(3)和所述第二镀层(5)均为金属反射镀层，或者所述第一镀层(3)和所述第二镀层(5)均为多层干涉光变镀层，或者所述第一镀层(3)为金属反射镀层、所述第二镀层(5)为多层干涉光变镀层，或者所述第一