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高性能锗沟道MOSFET制备技术与性能的深度剖析与优化策略

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代电子领域，随着信息技术的飞速发展，对集成电路性能的要求日益提高。作为集成电路的核心器件，金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET）的性能直接影响着集成电路的速度、功耗、集成度等关键指标。传统的硅基MOSFET在尺寸不断缩小的过程中，逐渐面临着一些物理极限和性能瓶颈，如载流子迁移率限制、短沟道效应加剧等问题，这些问题限制了集成电路性能的进一步提升。

锗（Ge）材料由于其具有较高的电子和空穴迁移率，分别约为硅的2倍和4倍，理论上能够显著提高MOSFET的性能，为突破