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CVD石膜生长

系齐霁

【实验目的】

了解低压化学气相沉积（CVD）石膜的基本原理与方法。

【实验原理】

（一）实验装置如下图所示

（二）化学气相沉积石膜最关键处是要碳源和原子氢。从相图可知，在气相沉积

石膜这个动态平衡中，非高压下石是亚稳相，而石墨是稳定相。只有

在高于几万个大气压时，石才变成稳定相，而石墨成为稳定相，在非

高压下石墨生长速率远高于石，从而抑制了石的进一步生长。

Augus等人的研究

表明，原子氢对石

墨的蚀刻率比对

石的高2－3

个量级。利用非平

衡反应能够在非

高温高压条件下

生成石的。

热丝法石的

气相沉积主要经

历以下四个过程。

1．CH4-H2混合物的活化，由热丝；

2．活化的气体疏运到样品表面；

23

spsp

3．在衬底上同时沉积含有键和键的碳；

2

4．原子氢蚀刻共生的sp的碳。

原子氢在生长的过程中不仅对石墨起了蚀刻作用，而且很容易与其余的剩余气

体反应，生成对沉积有用的气相基团。石晶体中碳原子成严格的四面体结

构，表层碳原子将有一个轨道未成键。在真空中，这些轨道互相，形成与

石墨相似的键。特别是（111）面上的碳原子六角型结构将发生重构。变得更



为类似石墨的层状结构。通常石将沿该面生长，于是石不但有了很大

的表面能，不利于上面成键各种物质；而且在化学气相成键石薄膜过程中

由于以生长的石表面更接近于石墨结构，在上面将有利于石墨的生长，从

而导致沉积失败。

而引入原子氢，由于C－H键能大于C－C键能，因而原