CN111403421A 阵列基板、显示装置及阵列基板的制作方法 （京东方科技集团股份有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN111403421A

(43)申请公布日2020.07.10

(21)申请号202010207266.9

(22)申请日2020.03.23

HO1LGO6F

21/77(2017.01)3/041(2006.01)

(71)申请人京东方科技集团股份有限公司

地址100015北京市朝阳区酒仙桥路10号

申请人鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司

(72)发明人穆世杰赵生伟庞鲁王超

吕景萍刘桐李乐乐周国庆王腾飞党少聪常志强王振刘琳婷孙雪峰董兴张玉兵徐楠

(74)专利代理机构北京博思佳知识产权代理有限公司11415

代理人张相钦

(51)Int.CI.

H01L27/12(2006.01)

权利要求书1页说明书6页附图3页

(54)发明名称

阵列基板、显示装置及阵列基板的制作方法

(57)摘要

CN111403421A本发明提供一种阵列基板、显示装置及阵列基板的制作方法。所述阵列基板包括依次设置的衬底、薄膜晶体管、第一绝缘层、触控电极、第二绝缘层及像素电极；所述阵列基板还包括触控金属图案、第一过孔及第二过孔，所述第一过孔贯穿所述第一绝缘层，所述第二过孔位于所述第一过孔内；所述触控电极通过所述第一过孔与所述触控金属图案电性连接，所述薄膜晶体管包括源漏电极，所述像素电极通过所述第二过孔与所述源漏电极电性连接。由于第二过孔位于第一过孔内，使得第二过孔与第一过孔之间的结构被取消，可避免这部分结构上方的薄膜因应力集中而

CN111403421A

X

CN111403421A权利要求书1/1页

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1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括衬底、形成于所述衬底上的薄膜晶体管、形成于所述薄膜晶体管上的第一绝缘层、形成于所述第一绝缘层上的触控电极、形成于所述触控电极上的第二绝缘层及形成于所述第二绝缘层上的像素电极；

所述阵列基板还包括触控金属图案、第一过孔及第二过孔，所述第一过孔贯穿所述第一绝缘层，所述第二过孔位于所述第一过孔内；

所述触控电极通过所述第一过孔与所述触控金属图案电性连接，所述薄膜晶体管包括源漏电极，所述像素电极通过所述第二过孔与所述源漏电极电性连接。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述源漏电极包括沿横向设置的源电极和漏电极，所述第一过孔的横向尺寸为11.2mm～15mm。

3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一过孔的横向尺寸为12mm~

13mm。

4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述触控金属图案包括上表面及与所述上表面相连的多个侧面，所述触控电极与所述触控金属图案的上表面及至少一个侧面电性接触。

5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，与所述触控电极接触的侧面面向所述源漏电极。

6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述源漏电极与所述触控金属图案同层设置。

7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述第二过孔贯穿所述第二绝缘层，所述第二绝缘层部分位于所述第一过孔内。

8.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述触控电极复用为公共电极，所述触控电极在所述衬底上的正投影与所述像素电极在所述衬底上的正投影至少部分重合。

9.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括如权利要求1至8中任一项所述的阵列基板。

10.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

提供衬底；

在所述衬底上形成缓冲层；

在所述缓冲层上形成薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括源漏电极和触控金属图案；

在所述薄膜晶体管上形成第一绝缘层，所述第一绝缘层包括第一过孔；

在所述第一绝缘层上形成触控电极，所述触控电极通过所述第一过孔与所述触控金属图案电性连接；

在所述触控电极上形成第二绝缘层，所述第二绝缘层包括位于所述第一过孔内的第二过孔；

在所述第二绝缘层上形成像素电极，所述像素电极通过所述第二过孔与所述源漏电极电性连接。

CN111403421A说明书1/6页

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阵列基板、显示装置及阵列基板的制作方法

技术领域

[0001]本发明涉及显示领域，尤其涉及一种阵列基板、显示装置及阵列基板的制作方