CN111313230A 底发射结构的垂直腔面发射激光器、数组及其制作方法 （欧比克半导体公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN111313230A

(43)申请公布日2020.06.19

(21)申请号201911167953.6

(22)申请日2019.11.25

(30)优先权数据

16/2089582018.12.04US

(71)申请人欧比克半导体公司

地址美国加州桑尼维尔市波尔多道1231号

(72)发明人鲍益勤马吉德·里亚齐亚特吴大中威尔逊·基鲍溶

(74)专利代理机构深圳市智享知识产权代理有限公司44361

代理人马静

(51)Int.CI.

H01S5/183(2006.01)

权利要求书2页说明书7页附图5页

(54)发明名称

底发射结构的垂直腔面发射激光器、数组及其制作方法

(57)摘要

CN111313230A本发明公开了一种底发射结构的垂直腔面发射激光器具有一基板，第一镜单元形成于基板上，有源区形成于第一镜单元上，第二镜单元形成于有源区上。柱体通过定向电感耦合等离子体反应离子蚀刻形成，且柱体曝露第一镜单元、有源区及第二镜单元的一部分，第一金属接触层形成于柱体的顶部，第二金属接触层形成于基板，开孔形成于第二金属接触层内，并与柱体对齐。本发明使垂直腔面发射激光器数组得以更密集

CN111313230A

CN111313230A权利要求书1/2页

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1.一种底发射结构的垂直腔面发射激光器，其特征在于，包括：

一基板；

一第一镜单元，位于所述基板上；

一有源区，位于所述第一镜单元上；

一第二镜单元，位于所述有源区上；

一柱体，通过定向电感耦合等离子体反应离子蚀刻形成，所述柱体曝露所述第一镜单元、所述有源区及所述第二镜单元的一部分；

一第一金属接触层，形成于所述柱体的顶部；

一第二金属接触层，形成于所述基板；以及，

一开孔，形成于所述第二金属接触层内，并与所述柱体对齐。

2.如权利要求1所述的底发射结构的垂直腔面发射激光器，其特征在于：包括一装置倒装于所述底发射结构的垂直腔面发射激光器。

3.如权利要求1所述的底发射结构的垂直腔面发射激光器，其特征在于：包括一焊料形成于所述第一金属接触层上，其中所述焊料连接至一装置的一金属接触层上，以将所述装置倒装于所述底发射结构的垂直腔面发射激光器。

4.如权利要求1所述的底发射结构的垂直腔面发射激光器，其特征在于：所述第一镜单元是一第一分布式布拉格反射镜。

5.如权利要求4所述的底发射结构的垂直腔面发射激光器，其特征在于：所述第二镜单元是一第二分布式布拉格反射镜。

6.如权利要求1所述的底发射结构的垂直腔面发射激光器，其特征在于：所述有源区是一量子阱。

7.一种底发射结构的垂直腔面发射激光器的制作方法，包括：

形成一第一镜单元于一基板上；

形成一有源区于所述第一镜单元上；

形成一第二镜单元于所述有源区上；

通过定向电感耦合等离子体反应离子蚀刻，形成一柱体，所述柱体曝露所述第一镜单元、所述有源区及所述第二镜单元的一部分；

涂布一第一金属接触于所述柱体的顶部；以及，

涂布一第二金属接触于所述基板，其中一开孔形成于所述第二金属接触内，且所述开孔与所述柱体对齐。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于：包括将形成所述底发射结构的垂直腔面发射激光器的一芯片翻转，以涂布所述第二金属接触。

9.如权利要求7所述的方法，其特征在于：包括倒装一装置于所述底发射结构的垂直腔面发射激光器。

10.如权利要求7所述的方法，其特征在于：包括涂布一焊料于所述第一金属接触上，且连接至一装置的一金属接触上，以将所述装置倒装于所述底发射结构的垂直腔面发射激光

器。

11.如权利要求7所述的方法，其特征在于：形成所述第一镜单元包括形成一第一分布式布拉格反射镜于所述基板上。

CN111313230A权利要求书2/2页

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12.如权利要求7所述的方法，其特征在于：形成所述第二镜单元包括形成一第二分布式布拉格反射镜于所述有源区上。

13.如权利要求7所述的方法，其特征在于：形成所述有源区包括形成一量子阱。

14.一种底发射结构的垂直腔面发射激光器数组，其特征在于，包括：

一基板；

一第一镜单元，形成于所述基板上；

一有源区，形成于所述第一镜单元上；

一第二镜单元，形成于所述有源区上；

多数个