CN111200062A 一种基于纳米颗粒填充工艺的微型化电感制作方法和电感 （电子科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN111200062A

(43)申请公布日2020.05.26

(21)申请号201911388134.4

(22)申请日2019.12.30

(71)申请人电子科技大学

地址610000四川省成都市高新区(西区)

西源大道2006号

申请人厦门云天半导体科技有限公司

(72)发明人薛恺钟智勇于大全张名川李金喜伍恒姜峰

(74)专利代理机构厦门市首创君合专利事务所有限公司35204

代理人连耀忠林燕玲

(51)Int.CI.

HO1L49/02(2006.01)

B82Y40/00(2011.01)

B82Y25/00(2011.01)

权利要求书1页说明书5页附图5页

(54)发明名称

一种基于纳米颗粒填充工艺的微型化电感制作方法和电感

(57)摘要

CN111200062A本发明公开了一种基于纳米颗粒填充工艺的微型化电感制作方法和电感，包括：精密磁心的制作工艺；三维互联通道刻蚀及填充；双面互联结构的制作工艺等。本发明采用微电子的工艺实现了带磁心的三维电感器件，实现小型化电感器件的同时，保留了较高的电感量，解决了小型化电感感值无法做大的矛盾；同时还提出了一种

CN111200062A

CN111200062A权利要求书1/1页

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1.一种基于纳米颗粒填充工艺的微型化电感制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

1)在衬底第一表面制作磁心模腔；

2)将微纳尺寸的磁性材料填充至磁心模腔中，使磁性材料致密形成磁心；

3)在衬底第一表面的磁芯模腔外周制作纵向互联结构；

4)采用减薄工艺使得衬底第二表面露出纵向互联结构的导电材料；

5)分别在衬底第一表面和第二表面制作横向互联结构，该横向互联结构与纵向互联结构的导电材料电性连接以形成电感线圈。

2.如权利要求1所述的一种基于纳米颗粒填充工艺的微型化电感制作方法，其特征在于，所述衬底的材料为硅、锗、砷化镓或磷化铟中任一种，或者玻璃、陶瓷或高分子材料中任一种。

3.如权利要求1所述的一种基于纳米颗粒填充工艺的微型化电感制作方法，其特征在于，步骤1)中，采用超声波钻孔、喷砂法、湿法刻蚀、干法刻蚀、激光刻蚀或机械钻孔在所述衬底上制作第一凹槽，该第一凹槽构成所述磁心模腔，其深度为0.1微米到3毫米。

4.如权利要求3所述的一种基于纳米颗粒填充工艺的微型化电感制作方法，其特征在于，所述第一凹槽横截面为长方形或圆环或回字形。

5.如权利要求1所述的一种基于纳米颗粒填充工艺的微型化电感制作方法，其特征在于，步骤3)具体为：

3.1)先采用超声波钻孔、喷砂法、湿法刻蚀、干法刻蚀、激光刻蚀或机械钻孔在衬底材料上制作多个第二凹槽；

3.2)往第二凹槽填充导电材料；

3.3)利用压力或超声波振动方式使第二凹槽内的导电材料致密，去除第二凹槽外的导电材料。

6.如权利要求1所述的一种基于纳米颗粒填充工艺的微型化电感制作方法，其特征在于，所述导电材料为粉末或微粒形态，材质为纯铜、铜合金、纯锡、锡合金、纯银、银合金、纯铝、铝合金、纯金或金合金中的一种或多种。

7.如权利要求1所述的一种基于纳米颗粒填充工艺的微型化电感制作方法，其特征在于，所述步骤3)增加热处理步骤：在真空环境或惰性气体或还原性气体保护氛围下，对衬底进行高温处理。

8.如权利要求1所述的一种基于纳米颗粒填充工艺的微型化电感制作方法，其特征在于，步骤5)中，所述横向互联结构可采用丝网印刷工艺制作金属线路。

9.如权利要求1所述的一种基于纳米颗粒填充工艺的微型化电感制作方法，其特征在于，所述横向互联结构可采用制作种子层，在种子层上涂光刻胶并完成光刻图形化，在光刻胶打开的区域沉积金属，去除光刻胶形成金属互联。

10.一种基于纳米颗粒填充工艺的微型化三维电感，其特征在于，包括衬底、磁心和电感线圈；该衬底设有第一凹槽和若干通孔，该若干通孔位于第一凹槽外周；该磁芯为采用微纳尺寸的磁性材料填充于第一凹槽内形成；该通孔内填充有导电材料构成纵向互联结构；该衬底第一表面和第二表面分别设有横向互联结构，该横向互联结构与纵向互联结构电性连接以形成电感线圈。

CN111200062A说明书