CN111293102B 一种基板混合薄膜多层布线制作方法 （上海航天电子通讯设备研究所）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN111293102B(45)授权公告日2022.07.05

(21)申请号202010107752.3

(22)申请日2020.02.21

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN111293102A

(43)申请公布日2020.06.16

(73)专利权人上海航天电子通讯设备研究所地址201109上海市闵行区中春路1777号

(72)发明人丁蕾刘凯陈韬马军伟

李虎王立春宋晓东

(74)专利代理机构上海汉声知识产权代理有限公司31236

专利代理师胡晶

(51)Int.CI.

HO1L23/498(2006.01)

HO1L23/495(2006.01)

HO1L23/60(2006.01)

HO1L21/48(2006.01)

(56)对比文件

CN103327732A,2013.09.25

CN102469753A,2012.05.23

CN110349925A,2019.10.18

JPA,1980.11.15

US2011073983A1,2011.03.31

审查员亢心洁

权利要求书2页说明书5页附图4页

(54)发明名称

一种基板混合薄膜多层布线制作方法

(57)摘要

CN111293102B本发明公开了一种基板混合薄膜多层布线制作方法，该制造方法包括以下步骤：提供一基板，薄膜沉积铝复合膜层，进行铝选择性阳极氧化，在多孔氧化铝结构中形成铝布线绝缘层，在铝膜中形成芯片散热结构和金属铝柱阵列；再次进行薄膜沉积铝膜，进行铝选择性阳极氧化，依次重复，制备出Al?0?/A1薄膜多层布线层；在其上薄膜沉积铜复合膜层，采用光刻工艺制作铜薄膜导带，制作BCB介质膜通孔；再采用薄膜沉积、光刻工艺制作顶层薄膜导带和焊盘，以制备出BCB/Cu薄膜多层布线层。克服薄膜布线层数无法增加，BCB应力累积造成的互连可靠性差、软基材组装困难等问题，并且在基板上进行高密度布线

CN111293102B

提供一表函如光清洗后的基板，并置于流气气真下进行热处理

提供一表函如光清洗后的基板，并置于流气气真下进行热处理

在基板上表面上薄瞑沉积担和铝复合观膜。并在担和铝复合院房上元割制作出选择性阳祖氧化光朗图形

将基板置于阳框氧化电解流中进行选择性阳极氧化，阳礼氧化部分形成结市既危单兵，木栽化邮分引成芯片数热结构和金属品性列

去峰光朝救

在去除光刻胶的基板上表雨上津瞑沉积但和畅复合既展，进付光刻，选择性阳祖氧化，并制作出铝布线绝埠膜。芯片散热结构，金属绍柱

序列和结清眼导

在去除光制胶的基板上表面旋涂BCB今质醒，静置，光刻制作出BCB今准膜遥孔，高温氟气气头下进行预圆化

在领国化的B08命质规上薄暖沉杜轲星合暖装，先刻形成阿薄城导带光刻图形

来用温法刻蚀制作出钢津娱导带，去除光刻酸

在去除无蚓酸的基长上表面上旋涂BC8介屉暖，光蚓制作出BCB分质膜通孔，高温气气桌下进行完全画化

在BCB奇雁脱義面清暖沈和顶膜铜复合模展，图彩电钝uMi/A企属

基，去除光财酸，采用湿法朝蚀制作出颁层津现导带和坪盘

依攻重夏a2豆晒步味，影成A1203/A1薄瞑多层布茂层，像次重复a7至

a11步骤，市成BCB/Cu津娱多藤布线膜，完成基耗范合年码多系布线

的制作

all

CN111293102B权利要求书1/2页

2

1.一种基板混合薄膜多层布线制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

al:提供一表面抛光清洗后的基板，并置于氮气气氛下进行热处理；

a2:在所述基板上表面上薄膜沉积钽和铝复合膜层，并在所述钽和铝复合膜层上光刻制作出选择性阳极氧化光刻图形；

a3:将所述基板置于阳极氧化电解液中进行选择性阳极氧化，阳极氧化部分形成铝布线绝缘层，未氧化部分形成芯片散热结构和金属铝柱阵列；

a4:去除光刻胶；

a5:在去除光刻胶的所述基板上表面上薄膜沉积钽和铝复合膜层，进行光刻、选择性阳极氧化，并制作出铝布线绝缘层、芯片散热结构、金属铝柱阵列和铝薄膜导带；

a6:去除光刻胶；

a7:在去除光刻胶的所述基板上表面上旋涂BCB介质膜，静置，光刻制作出BCB介质膜通