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2026年长江存储笔试测试题含答案解析

姓名：__________考号：__________

题号

一

二

三

四

五

总分

评分

一、单选题(共10题)

1.以下哪个是NAND型闪存的典型存储单元结构？()

A.NOR型存储单元

B.2DNAND存储单元

C.3DNAND存储单元

D.非存储单元

2.以下哪个选项不是存储器层次结构的一部分？()

A.CPU缓存

B.主存储器

C.硬盘驱动器

D.网络接口卡

3.在NAND闪存中，以下哪个操作会导致数据损坏？()

A.写操作

B.读操作

C.删除操作

D.无操作

4.以下哪个选项不是影响NAND闪存寿命的因素？()

A.写周期

B.读取次数

C.存储温度

D.数据保留时间

5.以下哪个选项描述了闪存存储器的工作原理？()

A.通过电流的通断来存储数据

B.通过磁极的极性来存储数据

C.通过电容的充放电来存储数据

D.通过光信号来存储数据

6.以下哪个选项不是NAND闪存的优点？()

A.密度高

B.速度快

C.成本低

D.易于扩展

7.以下哪个选项不是NAND闪存的缺点？()

A.写周期有限

B.读取次数有限

C.数据保留时间长

D.容易受到电磁干扰

8.以下哪个选项不是NAND闪存的擦除过程？()

A.程序擦除

B.片上擦除

C.块擦除

D.系统擦除

9.以下哪个选项不是NAND闪存中用于提高数据可靠性的技术？()

A.错误纠正码

B.数据复制

C.数据压缩

D.数据重试

二、多选题(共5题)

10.以下哪些是NAND型闪存的关键技术？()

A.程序擦除

B.片上擦除

C.块擦除

D.数据重试

E.数据压缩

F.错误纠正码

11.以下哪些因素会影响NAND闪存的性能？()

A.闪存单元的尺寸

B.闪存单元的存储容量

C.写周期

D.读取次数

E.存储温度

F.系统设计

12.以下哪些是NAND闪存可能遇到的问题？()

A.数据损坏

B.热循环疲劳

C.写放大

D.数据保留问题

E.电压敏感

F.磁干扰

13.以下哪些是NAND闪存与传统硬盘的区别？()

A.存储介质不同

B.读写速度不同

C.寿命不同

D.数据结构不同

E.热设计功耗不同

F.磁盘碎片问题

14.以下哪些是NAND闪存的优势？()

A.密度更高

B.体积更小

C.读写速度快

D.成本更低

E.更耐用

F.无噪声

三、填空题(共5题)

15.NAND型闪存中，通常使用__________来实现数据的写入和擦除。

16.闪存的数据保持时间主要取决于__________。

17.在NAND闪存中，一个__________是由多个存储单元组成的。

18.NAND闪存的__________是衡量其寿命的重要指标。

19.为了提高NAND闪存的可靠性，通常会采用__________技术。

四、判断题(共5题)

20.NAND型闪存的数据读取速度比NOR型闪存慢。()

A.正确B.错误

21.NAND型闪存的写周期比NOR型闪存长。()

A.正确B.错误

22.NAND型闪存的数据保持时间比NOR型闪存短。()

A.正确B.错误

23.NAND型闪存可以通过增加存储单元的尺寸来提高存储密度。()

A.正确B.错误

24.NAND型闪存在写入数据时不会发生写放大。()

A.正确B.错误

五、简单题(共5题)

25.请简述NAND型闪存与传统硬盘在数据结构上的主要区别。

26.为什么NAND型闪存需要写放大技术？写放大技术是如何工作的？

27.NAND型闪存中的浮栅在数据存储过程中扮演什么角色？

28.为什么NAND型闪存的数据保持时间会随着存储时间的延长而逐渐减少？

29.简述NAND型闪存中错误纠正码（ECC）的作用及其工作原理。

2026年长江存储笔试测试题含答案解析

一、单选题(共10题)

1.【答案】C

【解析】3DNAND存储单元是NAND型闪存的典型存储单元结构，它通过在垂直方向上堆叠存储单元，提高了存储密度。

2.【答案】D

【解析】网络接口卡(NIC)不是存储器层次结构的一部分，它是用于数据传输的设备，不属于存储器。

3.【答案】A

【解析】在NAND闪存中，写操