CN111200062B 一种基于纳米颗粒填充工艺的微型化电感制作方法和电感 (电子科技大学).docxVIP

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CN111200062B 一种基于纳米颗粒填充工艺的微型化电感制作方法和电感 (电子科技大学).docx

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN111200062B(45)授权公告日2023.11.03

(21)申请号201911388134.4

(22)申请日2019.12.30

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN111200062A

(43)申请公布日2020.05.26

(73)专利权人电子科技大学

地址610000四川省成都市高新区(西区)

西源大道2006号

专利权人厦门云天半导体科技有限公司

(72)发明人薛恺钟智勇于大全张名川

李金喜伍恒姜峰

(74)专利代理机构厦门市首创君合专利事务所有限公司35204

专利代理师连耀忠林燕玲

(51)Int.CI.

H10N97/00(2023.01)

B82Y40/00(2011.01)

B82Y25/00(2011.01)

(56)对比文件

US2015255529A1,2015.09.10

JP2015201481A,2015.11.12

CN102789967A,2012.11.21

US2012086102A1,2012.04.12

US2011169596A1,2011.07.14

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