成本实操-碳化硅器件的成本构成.pptx

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衬底制备：这是最核心的高成本环节，包括“晶锭生长切割研磨抛光检测”等步骤：

晶锭生长：需在2000℃以上高温、高真空环境中进行，设备（如PVT炉）单价高达数千万元，丏生长周期长（612英寸衬底晶锭需数天至数周），能耗不设备折旧成本占比高；

切割不加工：碳化硅硬度极高（莫氏硬度9.5，接近金刚

石），需用金刚石线锯切割，耗材（金刚石线）成本高，丏切割过程中易产生缺陷（如裂纹、位错），导致良率低（目前6英寸衬底良率约70%80%，8英寸仅50%60%）；

检测：需通过激光干涉仪等设备检测缺陷，进一步推高成本。

总结：6英寸衬底单价约20