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氮化硅双势垒结构中nc-Si量子点的特性研究：共振隧穿与电荷存储

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代半导体器件的发展进程中，对材料特性和结构设计的深入探索始终是推动器件性能提升的核心动力。氮化硅（Si?N?）作为一种关键的无机非金属材料，凭借其出色的综合性能，在半导体领域占据着举足轻重的地位。氮化硅具有高硬度、高强度、耐高温、耐磨损以及良好的化学稳定性和绝缘性能，这些优异特性使其成为半导体器件中不可或缺的组成部分。例如在集成电路制造中，氮化硅常被用作绝缘层和钝化层，有效防止杂质扩散，显著提高器件的可靠性。

随着半导体器件向小型化、高性能化方向的飞速发展，量子点技术应运而生，成为该