CN110571143A 一种新型高频半导体栅极的制作方法 （西安电子科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN110571143A

(43)申请公布日2019.12.13

(21)申请号201910677856.5

(22)申请日2019.07.25

(71)申请人西安电子科技大学

地址710071陕西省西安市太白南路2号

(72)发明人张鹏孙保全马晓华宓珉翰

(74)专利代理机构西安嘉思特知识产权代理事

务所(普通合伙)61230代理人张捷

(51)Int.CI.

H01L21/28(2006.01)

权利要求书2页说明书6页附图3页

(54)发明名称

一种新型高频半导体栅极的制作方法

(57)摘要

CN110571143A本发明公开了一种新型高频半导体栅极的制作方法，包括：选取势垒层；在势垒层上形成夹层结构，其中，夹层结构自下而上依次包括：第一光刻胶层、第一金属层、第二光刻胶层和第二金属层；光刻夹层结构后形成第一结构；对第一结构进行显影后形成具有T形凹槽的T形凹槽结构；在T形凹槽结构的表面淀积栅金属层后形成第二结构；对第二结构进行剥离后形成浮空T形栅。本发明通过第一金属层来避免两种光刻胶之间互溶层的形成，从而将栅脚与栅头分离，第二金属层作为阻挡层，易于栅金属的剥离，且第一金属层、第二金属层释放电子束光刻中剩余的电荷，对曝光图形不影响，由此得到形貌规整的T形栅，可以更好的减小寄生电容从而提高饱和电流截

CN110571143A

选取势垒层(1)

选取势垒层(1)

在所述势垒层(1)上形成夹层结构，其中，所述夹层结构自下而上依次包括:第一光刻胶层(2)、第一金属层(3)、第二光刻胶层(4)和第二金属层(5)

光刻所述夹层结构后形成第一结构

对所述第一结构进行显影后形成具有形凹槽的形凹槽结构

在所述凹槽结构的表面淀积棚金属层(6)后形成第二结构

对所述第二结构进行剥离后形成浮空T形棚

CN110571143A权利要求书1/2页

2

1.一种新型高频半导体栅极的制作方法，其特征在于，包括：

选取势垒层(1);

在所述势垒层(1)上形成夹层结构，其中，所述夹层结构自下而上依次包括：第一光刻胶层(2)、第一金属层(3)、第二光刻胶层(4)和第二金属层(5);

光刻所述夹层结构后形成第一结构；

对所述第一结构进行显影后形成具有T形凹槽的T形凹槽结构；

在所述T形凹槽结构的表面淀积栅金属层(6)后形成第二结构；

对所述第二结构进行剥离后形成浮空T形栅。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一光刻胶层(2)的敏感度低于所述第二光刻胶层(4)的敏感度。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述势垒层(1)上形成夹层结构，包括：

在所述势垒层(1)表面涂覆第一光刻胶层(2);

在所述第一光刻胶层(2)表面淀积第一金属层(3);

在所述第一金属层(3)表面涂覆第二光刻胶层(4);

在所述第二光刻胶层(4)表面淀积第二金属层(5)。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，在所述第一光刻胶层(2)表面淀积第一金属层(3),包括：

利用磁控溅射或蒸镀的方法在所述第一光刻胶层(2)表面淀积第一金属层(3)。

5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，在所述第二光刻胶层(4)表面淀积第二金属层(5),包括：

利用磁控溅射或蒸镀的方法在所述第二光刻胶层(4)表面淀积第二金属层(5)。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，光刻所述夹层结构后形成第一结构，包括：

利用电子束光刻方法光刻所述夹层结构，设置所述浮空T形栅的中间栅脚光刻剂量为第一剂量，利用所述第一剂量光刻所述夹层结构至所述势垒层(1)的表面，设置所述浮空T形栅的中间栅脚的两侧栅头光刻剂量为第二剂量，利用所述第二剂量光刻所述夹层结构至所述第一金属层(3)的表面，形成所述第一结构，其中，所述第一剂量的浓度大于所述第二剂量的浓度。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对所述第一结构进行显影后形成具有T形凹槽的T形凹槽结构，包括：

利用显影液对所述第一结构进行显影后形成具有T形凹槽的T形凹槽结构。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述T形凹槽结构的表面淀积栅金属层

(6)后形成第二结构，包括：

利用电子束蒸镀的方法在所述T形凹槽结构的表面淀积栅金属层(6)后形成第二结构，其中，所述栅金属层(6)包括第一栅金属层部分(61)、第二栅金属层部分(62)和第