角分辨光电子能谱：解锁低维材料与铁基超导体的电子结构密码.docxVIP

角分辨光电子能谱：解锁低维材料与铁基超导体的电子结构密码

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代材料科学的宏大版图中，低维材料和铁基超导体占据着举足轻重的地位，成为凝聚态物理和材料科学领域的研究焦点。低维材料，凭借其独特的维度特性，展现出与传统三维材料截然不同的物理性质。例如，二维材料石墨烯，自2004年被成功剥离以来，因其优异的电学、力学和热学性能，引发了全球范围内的研究热潮。它的载流子迁移率极高，可达200,000cm2/(V?s)以上，是传统硅材料的数十倍，为高性能电子器件的发展提供了新的可能。而碳纳米管，作为一维低维材料的典型代表，具有独特的电学性质，可表现为金属性或半导体性，取决于其结构参数，在纳米电子学、复合材料等领域展现出巨大的应用潜力。

铁基超导体的出现，则打破了超导领域长期以来的固有认知。在2008年之前，人们普遍认为铁元素不利于超导态的形成。然而，日本科学家细野秀雄团队发现的LaFeAsO基铁基超导体，临界温度达到26K，开启了铁基超导研究的新纪元。随后，中国科学家迅速跟进，将铁基超导体的临界温度提高到55K，引起了国际学术界的广泛关注。铁基超导体的超导机制与传统的BCS理论不同，其电子配对方式更为复杂，涉及到多轨道相互作用和反铁磁涨落等因素，为超导理论的发展注入了新的活力。

角分辨光电子能谱（ARPES）技术，作为一种强大的实验手段，在揭示材料电子结构方面发挥着关键作用。它能够直接测量材料中电子的能量和动量分布，为研究材料的电学、磁学和光学性质提供了重要信息。在低维材料研究中，ARPES可以精确探测低维材料的能带结构、电子态密度以及载流子的有效质量等关键参数，帮助我们深入理解低维材料的物理特性和量子输运机制。对于铁基超导体，ARPES能够揭示其超导能隙的对称性、电子配对机制以及与反铁磁序的相互关系，为解决高温超导机制这一世纪难题提供了重要线索。因此，利用ARPES技术对低维材料和铁基超导体进行深入研究，不仅有助于我们从微观层面理解材料的物理性质，还为新型超导材料的设计和开发提供了理论指导，具有重要的科学意义和应用价值。

1.2低维材料和铁基超导体概述

低维材料，是指在空间维度上受到限制，维度低于三维的材料。根据维度的不同，可分为零维、一维和二维材料。零维材料，如量子点，其电子在三个维度上的运动都受到限制，电子态呈现出离散的能级结构，类似于原子的能级，因而具有独特的量子尺寸效应。当量子点的尺寸与电子的德布罗意波长相当或更小时，量子限域效应显著增强，导致其光学和电学性质与体材料相比发生显著变化。在光电器件领域，量子点发光二极管（QLED）利用量子点的尺寸可调谐发光特性，能够实现高亮度、高效率和窄光谱宽度的发光，具有广阔的应用前景。

一维材料，以纳米线和碳纳米管为代表，电子仅在一个维度上可以自由移动，而在另外两个维度上受到限制。碳纳米管具有优异的力学性能，其强度比钢高数百倍，同时具有良好的电学性能，可用于制备高性能的纳米电子器件和复合材料增强相。在纳米电子学中，碳纳米管场效应晶体管（CNT-FET）展现出比传统硅基晶体管更高的电子迁移率和开关速度，有望成为下一代高性能集成电路的基础。

二维材料，如石墨烯、二硫化钼（MoS?）等，电子在二维平面内自由运动，而在垂直于平面的方向上受到限制。石墨烯具有极高的载流子迁移率和优异的力学性能，是一种理想的高速电子学和柔性电子学材料。在高速电子器件方面，石墨烯晶体管的截止频率已超过100GHz，展现出巨大的应用潜力。MoS?则是一种典型的半导体二维材料，具有直接带隙，在光电器件和传感器领域具有重要应用价值。例如，基于MoS?的光电探测器对可见光具有高灵敏度和快速响应特性，可用于图像传感和光通信等领域。

铁基超导体是指以铁元素为主要组成部分，在低温下表现出超导现象的一类化合物。其晶体结构主要包括（1111）、（122）、（111）和（11）四种类型。（1111）体系如LaOFepn（Ln=La,Ce,Pr,Nd,Sm,Gd,Tb,Dy,Ho,Y;Pn=P,As），具有独特的层状结构，其中铁砷层是超导的关键部分，通过对稀土元素和磷族元素的掺杂，可以调控其超导性能。（122）体系包含AFeAs（A=Ba,Sr,K,Cs,Ca,Eu）等，该体系具有较高的临界温度和良好的超导性能，在实际应用中具有一定的潜力。（111）体系的AFeAs（A=Li,Na）和（11）体系的代表FeSe（Te）等也各具特色，它们的超导机制和物理性质的研究对于深入理解铁基超导体具有重要意义。

铁基超导体具有许多独特的物理性质。与传统超导体不同，铁基超导体的超导能隙具有复杂的结构，存在多个能隙，且能隙的