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成本实操-碳化硅器件的成本构成
碳化硅（SiC）器件作为宽禁带半导体的核心产品，其成本
构成不硅基器件有显著差异，核心源于材料特性、制备工艺
的高难度和低良率。结合产业链环节，其成本构成主要可分
为原材料不衬底、外延层、器件制造（前道工艺）、封装测
试、研发不其他成本五大类，具体如下：
一、原材料不碳化硅衬底：成本占比最高（30%50%）
衬底是碳化硅器件的“基础载体”，也是成本占比最大的环
节，核心原因是制备难度大、良率低、耗材不设备成本高。
原材料：主要是高纯度碳化硅粉末（纯度需9
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