CN109449214B 一种氧化镓半导体肖特基二极管及其制作方法 （山东大学）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN109449214B(45)授权公告日2023.05.30

(21)申请号201811480787.0

(22)申请日2018.12.05

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN109449214A

(43)申请公布日2019.03.08

(73)专利权人山东大学

地址250100山东省济南市历城区山大南

路27号

(72)发明人辛倩杜路路徐明升宋爱民

(74)专利代理机构北京华际知识产权代理有限公司11676

专利代理师褚庆森

(51)Int.CI.

HO1L29/872(2006.01)

HO1L29/24(2006.01)

H01L29/47(2006.01)

H01L21/34(2006.01)

(56)对比文件

CN107993934A,2018.05.04

JP2009130012A,2009.06.11JP2016081946A,2016.05.16KR101424919B1,2014.08.01WO2018190828A1,2018.10.18MeiWang等.Thresholdvoltage

tuning

in

a-IGZOTFTswithultrathinSn0

x

cappinglayerandapplicationto

Depletion-LoadInverter.《IEEEElectron

DeviceLetters》.2016,第37卷(第4期),全文.

审查员丁宁

权利要求书2页说明书5页附图3页

(54)发明名称

一种氧化镓半导体肖特基二极管及其制作方法

(57)摘要

CN109449214B本发明的氧化镓(Ga?0?)半导体肖特基二极管，包括半导体层、阳极电极和阴极电极，特征在于：半导体层为Ga?0?薄膜，阳极电极为锡的氧化物(SnO)。本发明的肖特基二极管的制作方法，包括：a).制备Ga?0?薄片；b).薄片清洗；c).Ga?O?薄片刻蚀；d).制备阴极和金属接触点层；e).退火处理；f).制备Sn?薄膜；g).制备阳极金属触点层。本发明的氧化镓半导体肖特基二极管，理想因子(为1.02)非常接近1、势垒高度为1.17eV、开关比超过101?,所获取的肖特基二极管性能优良。本发明的肖特基二极管的制作方法，用Sn?作为肖特基接触电极，进而得到高性能的

CN109449214B

阳极金属触点层

阳极金属触点层

阳极电极

半导体层阴极电极

阴极金属触点层

CN109449214B权利要求书1/2页

2

1.一种氧化镓半导体肖特基二极管，包括半导体层以及设置于半导体层两侧的阳极电极和阴极电极，阳极电极与半导体层为肖特基接触，阴极电极与半导体层为欧姆接触；其特征在于：所述半导体层为Ga?0?薄膜，阳极电极为SnO薄膜；SnO作为Sn?薄膜的主要成分，其主要缺陷态为锡空位，并且锡空位产生的氧的悬挂键可以有效的补偿Ga?0?中的氧空位。

2.根据权利要求1所述的氧化镓半导体肖特基二极管，其特征在于：所述Ga?O?薄膜为没有故意掺杂的Ga?0?或者掺杂Cr、Si、Ge、Sn、Ti、Zr和Hf中的1种及以上元素的Ga?0?,Ga?0?薄膜的晶形为a、β、γ、8、e中的任意一种，Ga?O?单晶在室温下的载流子浓度范围为1×101?cm3至1×101?cm?3。

3.根据权利要求1或2所述的氧化镓半导体肖特基二极管，其特征在于：作为半导体层的Ga?O?薄膜厚度为30～600μm。

4.根据权利要求1或2所述的氧化镓半导体肖特基二极管，其特征在于：作为阳极电极的SnO薄膜的厚度为20～200nm。

5.根据权利要求1或2所述的氧化镓半导体肖特基二极管，其特征在于：所述阳极电极的外表面上设置有阳极金属触点层，阴极电极的外表面上设置有阴极金属触点层，阳极金属触点层、阴极电极、阴极金属触点层的材质分别为Ti、Ti、Au,其厚度范围均为10～500

nm。

6.一种基于权利要求1所述的氧化镓半导体肖特