CN109309149A 一种倒装结构芯片的制作方法 （江苏芯力特电子科技有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN109309149A

(43)申请公布日2019.02.05

(21)申请号201811145973.9

(22)申请日2018.09.29

(71)申请人江苏芯力特电子科技有限公司

地址212415江苏省镇江市句容市宝华镇

仙林东路16号401室

(72)发明人张文杰谢亮金湘亮

(74)专利代理机构南京纵横知识产权代理有限公司32224

代理人董建林

(51)Int.CI.

H01L33/00(2010.01)

H01L33/40(2010.01)

权利要求书1页说明书3页

(54)发明名称

一种倒装结构芯片的制作方法

(57)摘要

CN109309149A本发明公开了一种倒装结构芯片的制作方法，采用钨钼铜合金(WMoCu)作为衬底依次外延生长u-GaN层、n-AlGaN层、多量子阱层以及p-GaN层或p-AlGaN层；去除部分区域的p-GaN层或p-AlGaN层以及多量子阱层和部分n-AlGaN层；在n-AlGaN层上制作n型欧姆接触金属；去除n-AlGaN层上的n型欧姆接触金属；在p-GaN层或p-AlGaN层上制作p型欧姆接触层；在p型欧姆接触层上制作金属阻挡层；在n-AlGaN层上光刻出欧姆接触部分，生长n型欧姆接触层；通过后续加工制得。本发明将传统的蓝宝石衬底用钨钼铜合金替换，不仅降低生产成本且简化了加工工艺；明显改善p型欧姆接触和n型欧姆接触特性，提高p面欧姆

CN109309149A

CN109309149A权利要求书1/1页

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1.一种倒装结构芯片的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、以钨钼铜合金作为衬底层，在钨钼铜衬底层上外延生长A1N缓冲层，然后依次生长u-GaN层、n-AlGaN层、多量子阱层以及p-GaN层或p-AlGaN层；

S2、通过光刻和干法刻蚀去除部分区域的p-GaN层或p-AlGaN层，以及多量子阱层和部分n-AlGaN层，露出n-AlGaN层表面；

S3、通过剥离的方法在n-AlGaN层表面上制作n型欧姆接触金属，并高温退火；

S4、腐蚀去除n-AlGaN层上的n型欧姆接触金属；

S5、在p-GaN层或p-AlGaN层的表面上制作一层p型欧姆接触层，并在400℃~550℃下退火80s～220s,该p型欧姆接触层也为反射镜层；

S6、在p型欧姆接触层的表面制作一层能够包覆该p型欧姆接触层的金属阻挡层；

S7、在金属阻挡层和n-AlGaN层表面上生长一层绝缘层，在绝缘层上光刻出n-AlGaN层的欧姆接触部分，并通过腐蚀去除该欧姆接触部分上的绝缘层后，再在该欧姆接触部分上生长n型欧姆接触层，并退火；

S8、先光刻出p型电极区域，并腐蚀去除该区域的绝缘层，然后加厚制得p电极和n电极，再沉积一层绝缘材料层，并做二次电极分布，最后去除生长衬底和u-GaN层，并粗化n-AlGaN层，制得倒装结构紫外LED芯片。

2.根据权利要求1所述的一种倒装结构芯片的制作方法，其特征在于，所述步骤S3中，n型欧姆接触金属为钛、铝、镍、金、矾、锆中的一种或几种组合或它们的合金。

3.根据权利要求1所述的一种倒装结构芯片的制作方法，其特征在于，所述步骤S3中，高温退火的温度为550℃~1000℃,退火时间为20S～60S,退火氛围为氮气。

4.根据权利要求1所述的一种倒装结构芯片的制作方法，其特征在于，所述步骤S4中，腐蚀采用的溶液为盐酸、硝酸、硫酸、氢氟酸、磷酸、冰醋酸、王水中的一种或几种组成的混合液。

5.根据权利要求1所述的一种倒装结构芯片的制作方法，其特征在于，所述步骤S5中，p型欧姆接触层的制备方法为：先采用、乙醇、盐酸、硝酸混合液对p-GaN层或p-AlGaN层的表面进行处理，然后采用电子束蒸发方法在p-GaN层或p-AlGaN层的表面沉积一层p型欧姆接触金属，光刻腐蚀出p型欧姆接触层，并在350℃~550℃下退火60s～300s。

6.根据权利要求1所述的一种倒装结构芯片的制作方法，其特征在于，所述步骤S6中，金属阻挡层采用镍、金、钛、铂、钯、钨中的一种或几种或它们的合金制成。

7.根据权利要求1所述的一种倒装结构芯片的制作方法，其特征在于，所述步骤S7中，n型欧姆接层采用镍、金、钛、铂、钯、钨中的一种或几种或它们的