CN109449214A 一种氧化镓半导体肖特基二极管及其制作方法 （山东大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN109449214A

(43)申请公布日2019.03.08

(21)申请号201811480787.0

(22)申请日2018.12.05

(71)申请人山东大学

地址250100山东省济南市历城区山大南

路27号

(72)发明人辛倩杜路路徐明升宋爱民

(74)专利代理机构北京华际知识产权代理有限公司11676

代理人褚庆森

(51)Int.CI.

H01L29/872(2006.01)

H01L29/24(2006.01)

H01L29/47(2006.01)

H01L21/34(2006.01)

权利要求书2页说明书5页附图3页

(54)发明名称

一种氧化镓半导体肖特基二极管及其制作方法

(57)摘要

CN109449214A本发明的氧化镓(Ga?03)半导体肖特基二极管，包括半导体层、阳极电极和阴极电极，特征在于：半导体层为Ga?03薄膜，阳极电极为锡的氧化物(Sn0x)。本发明的肖特基二极管的制作方法，包括：a).制备Ga?O?薄片；b).薄片清洗；c).Ga?O?薄片刻蚀；d).制备阴极和金属接触点层；e).退火处理；f).制备Sn0x薄膜；g).制备阳极金属触点层。本发明的氧化镓半导体肖特基二极管，理想因子(为1.02)非常接近1、势垒高度为1.17eV、开关比超过101?,所获取的肖特基二极管性能优良。本发明的肖特基二极管的制作方法，用Sn0x作为肖特基接触电极，进而得到高性能的

CN109449214A

阳极金属触点层

阳极金属触点层

阳极电极

半导体层阴极电极

阴极金属触点层

CN109449214A权利要求书1/2页

2

1.一种氧化镓半导体肖特基二极管，包括半导体层以及设置于半导体层两侧的阳极电极和阴极电极，阳极电极与半导体层为肖特基接触，阴极电极与半导体层为欧姆接触；其特征在于：所述半导体层为Ga?O?薄膜，阳极电极为Sn?薄膜。

2.根据权利要求1所述的氧化镓半导体肖特基二极管，其特征在于：所述Ga?03薄膜为没有故意掺杂的Ga?03或者掺杂Cr、Si、Ge、Sn、Ti、Zr和Hf中的1种及以上元素的Ga?O?,Ga?O?薄膜的晶形为α、β、γ、δ、ε中的任意一种，Ga?O3单晶在室温下的载流子浓度范围为1×101?cm-3至1×101cm?3。

3.根据权利要求1或2所述的氧化镓半导体肖特基二极管，其特征在于：作为半导体层的Ga?O?薄膜厚度为30～600μm。

4.根据权利要求1或2所述的氧化镓半导体肖特基二极管，其特征在于：作为阳极电极的Sn?薄膜的厚度为20～200nm。

5.根据权利要求1或2所述的氧化镓半导体肖特基二极管，其特征在于：所述阳极电极的外表面上设置有阳极金属触点层，阴极电极的外表面上设置有阴极金属触点层，阳极金属触点层、阴极电极、阴极金属触点层的材质分别为Ti、Ti、Au,其厚度范围均为10～500

nm。

6.一种氧化镓半导体肖特基二极管的制作方法，其特征在于，通过以下步骤来实现：

a).制备Ga?O?薄片，采用机械切割或者机械剥离的方法从Ga?03单晶上得到厚度范围为30～600μm的Ga?O?薄片；

b).薄片清洗，将步骤a)中得到的Ga?O?薄片进行清洗；

c).Ga?O?薄片刻蚀，将清洗好的Ga?03薄片一面朝上，该面记为正面，利用等离子体对Ga?O?薄片的正面进行刻蚀，以使正面形成更好的欧姆接触；

d).制备阴极和金属接触点层，在Ga?03薄片刻蚀后的正面上依次蒸发不同的金属，以形成阴极电极和阴极金属触点层；

e).退火处理，将步骤d)得到的样品在惰性气体氛围中进行快速退火处理；

f).制备Sn?薄膜，利用掩膜版或光刻技术在Ga?O?薄片的另一个表面定义阳极电极的图案，另一个表面记为反面，在氧分压为3.1%的环境中在Ga?O?薄片的反面溅射沉积厚度范围为20～200nm的Sn?薄膜；

g).制备阳极金属触点层，在步骤f)中获取样品的Sn0x薄膜上蒸发金属层，以形成对SnO薄膜保护的阳极金属触点层。

7.根据权利要求6所述的氧化镓半导体肖特基二极管的制作方法，其