CN109895526B 光学防伪元件及其制作方法 （中钞特种防伪科技有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(45)授权

(10)授权公告号CN109895526B公告日2021.06.22

(21)申请号201711294804.7

(22)申请日2017.12.08

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN109895526A

(43)申请公布日2019.06.18

(73)专利权人中钞特种防伪科技有限公司

地址100070北京市丰台区科学城星火路6

号

专利权人中国印钞造币总公司

(72)发明人胡春华朱军吴远启张巍巍封敏宇

(74)专利代理机构北京润平知识产权代理有限公司11283

代理人陆文超肖冰滨

(51)Int.CI.

B42D25/40(2014.01)B42D25/324(2014.01)

(56)对比文件

CN103963510A,2014.08.06

CN103963510A,2014.08.06

CN102460236A,2012.05.16

CN101952128A,2011.01.19

CN104647935A,2015.05.27

CN105015215A.2015.11.04

US2016237622A1,2016.08.18

审查员丛春玲

权利要求书2页说明书9页附图6页

(54)发明名称

光学防伪元件及其制作方法

(57)摘要

CN109895526B本发明实施例提供一种光学防伪元件及其制作方法，属于光学防伪领域。所述光学防伪元件包括：基材；位于所述基材上的起伏结构层，该起伏结构层至少包括由第一微结构组成的第一区域和由第二微结构组成的第二区域，其中所述第一微结构的深宽比小于所述第二微结构的深宽比；仅位于所述第一区域上的反射层；位于所述反射层之上且覆盖所述第一区域的至少第一子区域的介质层；以及位于所述介质层之上且仅覆盖所述第一区域的所述第一子区域而不覆盖

CN109895526B

CN109895526B权利要求书1/2页

2

1.一种光学防伪元件，该光学防伪元件包括：

基材；

位于所述基材上的起伏结构层，该起伏结构层至少包括由第一微结构组成的第一区域和由第二微结构组成的第二区域，其中所述第一微结构的深宽比小于所述第二微结构的深宽比；

仅位于所述第一区域上的反射层；

位于所述反射层之上且覆盖所述第一区域的至少第一子区域的介质层；以及

位于所述介质层之上且仅覆盖所述第一区域的所述第一子区域而不覆盖所述第一区域的第二子区域的吸收层，其中所述第一子区域能够与所述第二区域邻接。

2.一种光学防伪元件，该光学防伪元件包括：

基材；

位于所述基材上的起伏结构层，该起伏结构层至少包括由第一微结构组成的第一区域和由第二微结构组成的第二区域，其中所述第一微结构的深宽比小于所述第二微结构的深宽比；

仅位于所述第一区域上的反射层；

位于所述反射层之上且仅覆盖所述第一区域的第一子区域的第一介质层；

位于所述反射层之上且仅覆盖所述第一区域的第二子区域的第二介质层，其中所述第二介质层的厚度不同于所述第一介质层的厚度；以及

仅位于所述第一介质层及所述第二介质层之上的吸收层。

3.根据权利要求1或2所述的光学防伪元件，其中，所述第一微结构为周期性结构或非周期性结构中的一种或组合，所述第一微结构为平坦结构、正弦型结构、矩形光栅结构、梯形光栅结构、闪耀光栅结构中的一种或者组合。

4.根据权利要求1或2所述的光学防伪元件，其中，所述第一微结构的深宽比小于0.3。

5.根据权利要求1或2所述的光学防伪元件，其中，所述第二微结构为周期性结构或非周期性结构中的一种或组合，所述第二微结构为正弦型结构、矩形光栅结构、梯形光栅结构、闪耀光栅结构中的一种或者组合。

6.根据权利要求1或2所述的光学防伪元件，其中，所述第二微结构的深宽比大于0.3。

7.根据权利要求6所述的光学防伪元件，其中，所述第二微结构的深宽比范围是0.5至1.0。

8.根据权利要求1或2所述的光学防伪元件，其中，所述第二微结构的深度范围为80nm至8000nm,宽度范围为100nm至20000nm。

9.一种光学防伪元件的制作方法，包括：

步骤S11,在基材的表面上形成起伏结构层，该起伏结构层至少包括由第一微结构组成的第一区域和由第二微结构组成的第二区域，其中所述第一微结构的深宽比小于所述第二微结构的