CN109894170B 用于地质过程化学溶蚀研究的微流控芯片及制作方法 （武汉大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(45)授权

(10)授权公告号CN109894170B公告日2020.09.22

(21)申请号201910238487.X

(22)申请日2019.03.27

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN109894170A

(43)申请公布日2019.06.18

(73)专利权人武汉大学

地址430072湖北省武汉市武昌区珞珈山

武汉大学

专利权人贵州省水利水电勘测设计研究院

(72)发明人胡冉武东生陈益峰周晨星王一凡魏鹳举赵先进

(74)专利代理机构武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙)42222

代理人艾小倩

(51)Int.CI.

B01L3/00(2006.01)审查员高秋菊

权利要求书1页说明书3页附图2页

(54)发明名称

用于地质过程化学溶蚀研究的微流控芯片及制作方法

(57)摘要

CN109894170B本发明公开了一种用于地质过程化学溶蚀研究的微流控芯片及制作方法。包括如下步骤：制备微流控芯片主体，上中下基层通道刻蚀以及上中下基层与微流控芯片主体的键合与封装，最终得到适用于地质过程化学溶蚀研究目的的微流体芯片。微流控芯片主体的材料可为氯化钠晶体、所测试岩石切片等易获得通用物质，上下基片采用具有透明特性的硅酸盐玻璃载玻片或环氧树脂类的有机玻璃，制备微流体芯片通常只需常温常压条件，整个制作时间为2—3小时。该方法具有通道制作精度高、芯片封装工艺简单、制备时间短、应用灵活、便于批量化生产等优点，同

CN109894170B

CN109894170B权利要求书1/1页

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1.一种用于地质过程化学溶蚀研究的微流控芯片，其特征在于：包括水平平行布置的含有微通道的微流控芯片主体(1),还包括上基层(2),中基层(3),下基层(4),上粘涂层(5),下粘涂层(6);所述上基层(2)、上粘涂层(5)、中基层(3)、下粘涂层(6)和下基层(4)自上而下依次与微流控芯片主体(1)水平平行布置，所述中基层(3)水平贯穿芯片主体(1)将其分为上半部和下半部，所述上基层(2)、上粘涂层(5)均位于中基层(3)上方；所述下粘涂层(6)和下基层(4)均位于中基层(3)下方；还设有注入口(7),注出口(8)和置于中基层(3)内且水平布置的引流通道(9);所述注入口(7)和注出口(8)均垂直贯通上基层(2)、上粘涂层(5)和中基层(3),并且均与引流通道(9)连通；

所述注入口(7)直径和注出口(8)直径均为0.5mm;所述引流通道(9)宽度为0.3mm,长度为8mm;所述上基层(2)、中基层(3)和下基层(4)均采用厚度为0.2mm的硼酸盐玻璃，所述硼酸盐玻璃使用硅烷进行超疏水化处理制得以防止边角流的发生；

所述上粘涂层(5)和下粘涂层(6)均采用紫外光敏胶水制得；所述芯片主体(1)的材料为岩石切片，其尺寸为2mm×2mm,厚度为0.2mm;所述岩石切片为石灰岩。

2.一种制作如权利要求1所述用于地质过程化学溶蚀研究的微流控芯片的方法，其特征在于：它包括如下步骤：

首先制备含有微通道的微流控芯片主体(1),再对载玻片的上基层(2)、中基层(3)、下基层(4)进行通道刻蚀，最后利用半固化状态下光敏胶进行基底物理键和封装，即得到所述微流控芯片；

所述微通道采用CT扫面获得岩体内部粗糙壁面裂隙，再通过激光雕刻技术将图形转移到特定岩石切片上，进一步与含有注入孔(7)和引流通道(9)的基层连接，最后键合封装得到所述微流控芯片；所述特定岩石切片为石灰岩。

CN109894170B说明书1/3页

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用于地质过程化学溶蚀研究的微流控芯片及制作方法

技术领域

[0001]本发明属于微流控制作技术领域，具体是指一种用于地质过程化学溶蚀研究的微流控芯片及制作方法。

背景技术

[0002]地球深部多孔裂隙岩体及近地表非饱和岩土孔隙中往往存在多组分、多相流体(例如空气、水、及非水相污染物等)。它们之间的动力学运动特征及与岩土体之间发生的物质交换对研究页岩油(气)开采、CO?地质封存及地下水污染物运移等领域都具有非常重要的意义。然而受限于岩石及土体不可光学透视的特性，清晰、实时地监测岩土