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缺陷与掺杂对石墨烯纳米带电子学及光学性能的影响机制探究

一、引言

1.1研究背景与意义

石墨烯，作为一种由碳原子以六角形蜂巢晶格紧密排列而成的二维材料，自2004年被英国曼彻斯特大学的A.K.Geim和K.S.Novoselov成功制备以来，凭借其独特的结构和卓越的性能，迅速在凝聚态物理和微纳电子等领域掀起了研究热潮。它不仅拥有高达15000cm2/(V?s)的电子迁移率，使得电子在其中能够高速迁移，实现高效的电子传输；还具备高达5.3×103W/(m?K)的导热系数，可在电子设备中发挥出色的散热作用；同时，其大比表面积特性为纳米粒子的附着提供了丰富位点，在复合材料制备中展现出巨大潜力。这些优异性能，让石墨烯在众多领域展现出广阔的应用前景。

随着研究的不断深入，科学家们发现将石墨烯加工成纳米带结构，即石墨烯纳米带，能够进一步拓展其应用范围。石墨烯纳米带是一种在石墨烯基础上制备的新型带状材料，它不仅继承了石墨烯的部分优异特性，还展现出一些独特的性质。例如，它具有宽带隙，这一特性使得石墨烯纳米带在半导体器件应用中具有重要价值，可用于构建高性能的场效应晶体管器件，有望推动集成电路的小型化和高性能化发展；其电子输运性质可控，通过对其结构和组成的精确调控，可以实现对电子输运行为的有效控制，满足不同电子学应用的需求。这些特性使得石墨烯纳米带成为碳基纳米电子学领域的理想候选材料之一，吸引了众多科研人员的关注。

然而，在石墨烯纳米带的制备或加工过程中，不可避免地会产生各种缺陷，如Stone-Wales(S-W)缺陷、空位缺陷、线缺陷等本征缺陷，以及面外杂原子引入缺陷和面内杂原子取代缺陷等外引入缺陷。这些缺陷的存在会对石墨烯纳米带的结构和性能产生显著影响。例如，S-W缺陷由碳碳单键旋转产生，虽不引入或移除碳原子，但会改变局部结构，影响电子和声子传输通道；空位缺陷会导致悬挂键的产生，改变碳原子间的键长及轨道杂化方式，进而影响电学性质，使石墨烯纳米带的导电性下降。

此外，为了进一步调控石墨烯纳米带的性能，研究人员常常采用掺杂的方法，将特定的杂质原子引入石墨烯纳米带的晶格中。不同的掺杂原子会与石墨烯纳米带的碳原子形成不同的化学键和电子云分布，从而改变其电子结构和物理化学性质。例如，氮、硼等原子的掺杂可以改变石墨烯纳米带局部区域周围的电子云，使其更加活跃，提高催化活性和电导率等性能。但掺杂过程也可能引入新的缺陷或与原有缺陷相互作用，进一步影响石墨烯纳米带的性能。

深入研究含缺陷和掺杂石墨烯纳米带的电子学和光学性能具有重要的科学意义和实际应用价值。在科学意义方面，有助于深入理解缺陷和掺杂对二维材料电子结构和光学性质的影响机制，丰富和完善二维材料的基础理论体系。在实际应用方面，能够为石墨烯纳米带在纳米电子学、光电子学等领域的应用提供关键的理论支持和技术指导，推动相关领域的发展和创新。比如，通过对含缺陷和掺杂石墨烯纳米带电子学性能的研究，可以优化其在高速晶体管、逻辑电路等纳米电子器件中的应用性能，提高器件的性能和稳定性；对其光学性能的研究，则有助于开发新型的光电器件，如光电探测器、发光二极管等，拓展石墨烯纳米带在光电子领域的应用范围。

1.2国内外研究现状

在国外，众多科研团队对含缺陷和掺杂石墨烯纳米带的性能展开了深入研究。美国加州大学洛杉矶分校的研究团队在石墨烯纳米带的制备方面取得了重要进展，他们开发出一种利用基于紫外光和暴露于600摄氏度下的简单反应，逐个分子构建石墨烯纳米带的新方法，该技术对于工业规模制造石墨烯纳米带具有重要价值。在性能研究方面，新加坡南洋理工大学的AnastassiaSorkin和HaibinSu以及香港科技大学的研究人员使用密度泛函结合分子动力学来模拟由六个（冠烯）和七个（三环戊二烯并三亚苯基）多边形组成的多边形碳晶格片段，研究显示在石墨烯制备过程中特别是采用化学气相沉积（CVD）方法时，冠烯和三环戊二烯并三亚苯基会起一定的作用，计算结果展示了各种缺陷和晶界是如何产生的，以及缺陷如旋转键（Stone-Wales）或晶格间隙是如何修补的。

在国内，相关研究也取得了丰硕成果。上海交通大学物理与天文学院教授史志文、以色列特拉维夫大学教授MichaelUrbakh、深圳先进技术研究院教授丁峰和武汉大学教授欧阳稳根合作，开发了一种生长石墨烯纳米带的全新方法，实现超高质量石墨烯纳米带在氮化硼层间的嵌入式生长，形成“原位封装”的石墨烯纳米带结构，并演示了所生长的石墨烯纳米带可用于构建高性能场效应晶体管器件。武汉大学物理科学与技术学院和微电子与信息技术研究院的研究人员对石墨烯纳米带中常见的四种空位缺陷进行了分析，采用数值仿真的方法研究了缺陷对扶手椅型石墨烯纳