集成智能SiC MOSFET功率模块技术分析与比较.pdfVIP

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集成智能SiC MOSFET功率模块技术分析与比较.pdf

IntegratedIntelligentSiCMOSFET

PowerModule

LiqiZhang,PengkunLiu,SuxuanGuo

02/10/2016

内容

➢温度敏感性比较➢1200V80毫欧碳化硅

MOSFET与900V65毫欧碳化硅MOSFET的比较➢无

损耗高功率模块,具有分布式栅极驱动

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