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集成智能SiC MOSFET功率模块技术分析与比较.pdfVIP

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  • 2026-02-12 发布于北京
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集成智能SiC MOSFET功率模块技术分析与比较.pdf

    IntegratedIntelligentSiCMOSFET

    PowerModule

    LiqiZhang,PengkunLiu,SuxuanGuo

    02/10/2016

    内容

    ➢温度敏感性比较➢1200V80毫欧碳化硅

    MOSFET与900V65毫欧碳化硅MOSFET的比较➢无

    损耗高功率模块，具有分布式栅极驱动

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