CN109037458A 基于钙钛矿的新型光电探测器及其制作方法 (上海集成电路研发中心有限公司).docxVIP

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CN109037458A 基于钙钛矿的新型光电探测器及其制作方法 (上海集成电路研发中心有限公司).docx

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN109037458A

(43)申请公布日2018.12.18

(21)申请号201810822069.0

(22)申请日2018.07.24

(71)申请人上海集成电路研发中心有限公司地址201210上海市浦东新区张江高科技

园区高斯路497号申请人复旦大学

(72)发明人武青青严亚杰梁子骐朱建军胡少坚

(74)专利代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237

代理人郑星

(51)Int.CI.

H01L51/48(2006.01)

HO1L51/42(2006.01)

权利要求书2页说明书10页附图9页

(54)发明名称

基于钙钛矿的新型光电探测器及其制作方法

(57)摘要

CN109037458A本发明提供了一种基于钙钛矿的新型光电探测器及其制作方法。通过在基底上自下而上依次设置第一电极、空穴传输层、包含有钙钛矿的光敏活性层、电子传输层和第二电极制作出具有垂直结构的新型光电探测器。所述光敏活性层为通过在二维钙钛矿前驱体溶液中加入卤化盐和有机溶剂制作出的具有二维钙钛矿和三维钙钛矿交叉网络结构的新型钙钛矿。所述二维钙钛矿和三维钙钛矿交叉网络结构使新型钙钛矿的结晶度增加,载流子寿命延长,而且使新型钙钛矿同时具备载流子二维平面内传输特性和沿三维结构向平面间传输的特性,进而使得包含有新型钙钛矿的新型光探测器具有更大的光电流和更

CN109037458A

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CN109037458A权利要求书1/2页

2

1.一种基于钙钛矿的新型光电探测器的制作方法,其特征在于,包括:

提供基底,在所述基底上设置第一电极;

在所述第一电极上设置空穴传输层;

在所述空穴传输层上设置光敏活性层,所述光敏活性层的材料包括具有二维钙钛矿和三维钙钛矿交叉网络结构的新型钙钛矿;

在所述光敏活性层上设置电子传输层;以及

在所述电子传输层上设置第二电极。

2.如权利要求1所述的基于钙钛矿的新型光电探测器的制作方法,其特征在于,在所述空穴传输层上设置光敏活性层的方法包括:

将苯基乙胺、卤甲胺和金属卤化物分散在第一有机溶剂中,常温搅拌,得到第一前驱体溶液;

将所述第一前驱体溶液与卤化盐、第二有机溶剂混合搅拌分散,得到第二前驱体溶液;

将所述第二前驱体溶液通过过滤头滴涂和旋涂在平面载体上,以得到新型钙钛矿,所述新型钙钛矿为二维钙钛矿和三维钙钛矿交叉而成的网络。

3.如权利要求2所述的基于钙钛矿的新型光电探测器的制作方法,其特征在于,所述卤甲胺中的卤素包括C1、Br和I中的至少一种;所述金属卤化物中的卤素包括C1、Br和I中的至少一种;所述金属卤化物中的金属包括Pb、Sn、Ge、Cu、Ni、Mn、Sb、Zn、Fe和Bi中的至少一种。

4.如权利要求2所述的基于钙钛矿的新型光电探测器的制作方法,其特征在于,所述第一有机溶剂包括N,N-二甲基甲酰胺、Y-丁内酯、二甲基亚砜、N,N-二甲基乙酰胺和N-甲基吡咯烷酮中的至少一种;所述第二有机溶剂包括N,N-二甲基甲酰胺、γ-丁内酯、二甲基亚砜、N,N-二甲基乙酰胺和N-甲基吡咯烷酮中的至少一种。

5.如权利要求2所述的基于钙钛矿的新型光电探测器的制作方法,其特征在于,所述卤化盐中的卤素包括Cl、Br和I中的至少一种,所述卤化盐包括铵盐和/或甲基铵盐。

6.如权利要求2至5中任一项所述的基于钙钛矿的新型光电探测器的制作方法,其特征在于,将0.02~0.10重量份的苯基乙胺、0.05~0.20重量份的碘甲胺和0.2~0.8重量份的碘化亚铅分散在0.5~1.5体积份的N,N-二甲基甲酰胺中,得到所述第一前驱体溶液;所述第一前驱体溶液与0.002~0.010重量份的氯化铵、0.01~0.06体积份的二甲基亚砜混合搅拌分散,得到所述第二前驱体溶液。

7.如权利要求6所述的基于钙钛矿的新型光电探测器的制作方法,其特征在于,所述具有二维钙钛矿和三维钙钛矿交叉网络结构的新型钙钛

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