集成电路 电磁发射测量 第8部分：辐射发射测量 带状线法标准立项修订与发展报告.docxVIP

《集成电路电磁发射测量第8部分：辐射发射测量带状线法》标准化发展研究报告

EnglishTitle:StandardizationDevelopmentResearchReporton“IntegratedCircuits–MeasurementofElectromagneticEmissions–Part8:MeasurementofRadiatedEmissions–StriplineMethod”

摘要

随着信息技术的飞速发展，集成电路（IC）作为电子设备的核心，其工作频率和集成度不断提高，由此产生的电磁发射（EME）问题日益突出。集成电路自身的电磁兼容性（EMC）性能已成为影响整机设备可靠性和符合全球电磁兼容法规（如欧盟CE认证、美国FCC认证）的关键因素。为科学、准确地评估集成电路的辐射发射水平，建立统一、可复现的测试方法标准至关重要。本报告聚焦于国家标准《集成电路电磁发射测量第8部分：辐射发射测量带状线法》的立项与发展。报告系统阐述了该标准制定的目的与深远意义，明确了其适用范围与核心技术内容。研究表明，该标准的制定填补了我国在集成电路级辐射发射标准化测量方法领域的空白，为集成电路设计、制造、测试及应用企业提供了权威的技术依据。通过规范使用带状线法在150kHz至3GHz频率范围内测量IC的辐射发射，该标准不仅有助于从源头控制电子设备的电磁干扰，提升我国集成电路产品的国际竞争力，也为相关产业的技术创新和高质量发展奠定了坚实的标准化基础。本报告的结论部分展望了该标准在推动芯片级EMC设计、促进测试仪器产业发展以及适应未来更高频段测量需求等方面的潜在价值。

关键词：集成电路；电磁兼容；辐射发射；测量方法；带状线法；标准化；电磁发射测量

Keywords:IntegratedCircuit(IC);ElectromagneticCompatibility(EMC);RadiatedEmission;MeasurementMethod;StriplineMethod;Standardization;MeasurementofElectromagneticEmissions

正文

1.标准立项的目的与意义

《集成电路电磁发射测量第8部分：辐射发射测量带状线法》国家标准的制定，其核心目的是建立一套严谨、统一的技术规范，明确规定采用带状线法对集成电路的辐射电磁发射进行测量的完整程序和要求。

该标准的立项具有多重重要意义：

首先，技术依据意义。它为集成电路的辐射电磁发射性能评估提供了科学、可靠的测量依据。在集成电路设计阶段，通过依据本标准进行预测试和评估，设计者可以及时发现并优化可能产生过量电磁辐射的电路模块，实现“设计即正确”（DesignforEMC），从而从源头有效控制电磁干扰。

其次，产业提升意义。本标准有助于提升我国集成电路产品的整体电磁兼容性水平。随着全球电子设备市场准入法规日益严格，芯片本身的EMC性能已成为国际采购的重要考量指标。统一的测试标准使得国内IC产品能够在一个公平、可比的技术平台上进行性能验证，为打破技术贸易壁垒、增强“中国芯”的国际市场竞争力提供了可能。

最后，系统优化意义。集成电路是整机设备电磁干扰的源头之一。通过依据本标准对IC进行严格的辐射发射考核，可以确保其满足系统级应用的要求，从而显著提高手机、计算机、汽车电子、工业控制设备等整机产品的EMC性能与可靠性，降低后期系统级EMC整改的成本和难度。该标准是连接芯片级设计与系统级应用的关键技术桥梁，对推动我国电子信息产业的高质量发展具有基础性支撑作用。

2.标准的范围与主要技术内容

本标准（第8部分）是《集成电路电磁发射测量》系列标准的重要组成部分，其范围明确界定为：定义一种在150kHz至3GHz频率范围内，使用带状线结构测量集成电路电磁辐射发射的标准化方法。

其主要技术内容涵盖以下几个核心方面：

（1）测量原理与装置：标准详细规定了带状线法的基本原理。将被测集成电路（DUT）安装在一块特制的电磁兼容测试板（PCB）上，该测试板置于带状线结构的有源导体与接地平面之间。带状线本质上是一个横电磁波（TEM）传输线，当IC工作时产生的射频电流流过其引脚和PCB走线时，会在带状线内部激励起电磁场，该场强与IC的辐射发射强度相关。

（2）测试系统配置：标准对测量系统提出了明确要求，包括带状线装置的物理尺寸（如特性阻抗、导体间距）、材料特性、校准要求，以及与之配套的测量接收机（或频谱分析仪）、阻抗匹配网络、供电单元（PSU）和辅助设备的技术指标。确保不同实验室依据此标准搭建的测试系统具有高度的一致性和可比性。

（3）测试布置与程序：标准严格规定了