CN109103098A 一种氮化镓绝缘栅高电子迁移率晶体管及其制作方法 （北京大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN109103098A

(43)申请公布日2018.12.28

(21)申请号201810301036.1

(22)申请日2018.04.04

(71)申请人北京大学

地址100080北京市海淀区颐和园路5号

(72)发明人孙辉王茂俊陈建国陈东敏

(74)专利代理机构北京知呱呱知识产权代理有限公司11577

代理人武媛吕学文

(51)Int.CI.

H01L21/335(2006.01)

HO1L29/788(2006.01)

权利要求书1页说明书5页附图4页

(54)发明名称

一种氮化镓绝缘栅高电子迁移率晶体管及其制作方法

护层介质栅介质层

护层介质

栅介质层

GaN沟道层缓冲层

衬底

二维电子气

隔离区

漏极

源极

CN109103098A本发明提出一种优先制备器件深槽隔离的高可靠性氮化镓绝缘栅高电子迁移率晶体管及其制作方法。该方案的特点是在对外延片清洗处理后，直接制备深槽隔离，然后沉积栅介质和沉积较厚的护层介质。这样一方面实现了深槽隔离的平坦化，另一方面，较致密的栅介质层可以很好的对隔离区的表面刻蚀缺陷进行钝化并对隔离台面的侧壁进行隔离和保护，从而降低隔离区

CN109103098A

CN109103098A权利要求书1/1页

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1.一种氮化镓绝缘栅高电子迁移率晶体管的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

S10:制备器件深槽隔离；

S20:沉积第一介质层；

S30:沉积第二介质层；

S40:制备源电极和漏电极的欧姆接触；

S50:打开栅极窗口；

S60:制备栅电极、源电极和漏电极；

其中，S10步骤可以在S20步骤之前，或者在S20步骤之后。

2.如权利要求1所述的一种氮化镓绝缘栅高电子迁移率晶体管的制造方法，其特征在于，所述步骤S10器件深槽隔离通过刻蚀掉隔离区的势垒层以及部分的沟道层，以打断势垒层和沟道层界面处的二维电子气而形成。

3.如权利要求1或2所述的一种氮化镓绝缘栅高电子迁移率晶体管的制造方法，其特征在于，所述步骤S20沉积第一介质层是通过以下方式中的一种或者几种方式相结合来实现：LPCVD的方式来沉积氮化硅介质层、ALD的方式来沉积氮化硅或者氧化铝介质层、MOCVD的方式原位沉积氮化硅介质层。

4.如权利要求1至3中任一项所述的一种氮化镓绝缘栅高电子迁移率晶体管的制造方法，其特征在于，步骤S30沉积第二介质层通过以下方式中的一种或者几种方式相结合来实现：PECVD的方式来沉积氧化硅介质层、LPCVD沉积氧化硅、ICPCVD沉积氧化硅。

5.如权利要求1至4中任一项所述的一种氮化镓绝缘栅高电子迁移率晶体管的制造方法，其特征在于，步骤S40制备源电极和漏电极的欧姆接触的步骤包括定义接触区域，蚀刻方法去除接触区域的第二介质层、第一介质层、对接触区域的势垒层和沟道层进行处理，沉积欧姆接触金属，蚀刻形成欧姆接触电极，高温合金步骤。

6.如权利要求5中所述的一种氮化镓绝缘栅高电子迁移率晶体管的制造方法，其特征在于，所述对接触区域的势垒层和沟道层进行处理步骤包括如下蚀刻方式中的一种：完全不蚀刻势垒层、部分蚀刻势垒层、全部蚀刻势垒层而完全不蚀刻沟道层、全部蚀刻势垒层并且部分蚀刻沟道层。

7.如权利要求1至6中任一项所述的一种氮化镓绝缘栅高电子迁移率晶体管的制造方法，其特征在于，所述步骤S50打开栅极窗口包括通过干法蚀刻部分所述第二介质层并通过湿法蚀刻所述第二介质层未被干法蚀刻部分、或湿法蚀刻全部所述第二介质层这两种方式中的一种。

8.如权利要求1至7中任一项所述的一种氮化镓绝缘栅高电子迁移率晶体管的制造方法，其特征在于，所述制备栅电极、源电极和漏电极包括沉积栅极金属、定义源极、漏极和栅极区域、通过蚀刻去除源极、漏极和栅极以外其他区域的栅极金属的步骤。

9.一种氮化镓绝缘栅高电子迁移率晶体管，包括衬底、缓冲层、沟道层、势垒层、第一介质层、第二介质层、源极、漏极、栅极，其特征在于，是通过权利要求1至8中任一项所述的一种氮化镓绝缘栅高电子迁移率晶体管的制造方法制作而成。

CN109103098A说明书