宣贯培训(2026年)《GBT 14141-2009硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法》.pptxVIP

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  • 2026-02-13 发布于浙江
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宣贯培训(2026年)《GBT 14141-2009硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法》.pptx

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目录

一、精密测量基石:透视《GB/T14141-2009》作为半导体工艺监控权威标尺的核心价值与战略地位

二、追本溯源:专家深度剖析直排四探针法基本原理,揭示其成为薄层电阻测量“金标准”的科学必然性

三、核心解码:逐条精解《GB/T14141-2009》标准文本,攻克设备、环境、样品准备三大关键要求中的理解难点

四、探针落点之艺:深度探讨样品尺寸、厚度、探针间距与测量位置对测试结果准确性影响的量化模型与边界条件

五、数据背后的真相:专家视角解读厚度修正因子、几何修正因子的精确获取与运用,规避传统计算中的系统性偏差

六、从实验室到生产线:前瞻性解析标准在硅外延、扩散及离子注入工艺实时

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