CN108831950A 一种超短沟道金属半导体金属型光探测器及制作方法 （北京科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN108831950A

(43)申请公布日2018.11.16

(21)申请号201810502821.3

(22)申请日2018.05.23

(71)申请人北京科技大学

地址100083北京市海淀区学院路30号

(72)发明人齐俊杰李峰

(74)专利代理机构北京市广友专利事务所有限责任公司11237

代理人张仲波

(51)Int.CI.

HO1L31/101(2006.01)

HO1L31/032(2006.01)

HO1L31/18(2006.01)

权利要求书1页说明书3页附图2页

(54)发明名称

一种超短沟道金属-半导体-金属型光探测器及制作方法

(57)摘要

CN108831950A本发明公开了一种超短沟道金属-半导体-金属型光探测器及制作方法，涉及光探测技术领域，采用二维二硫化钼垂直方向构建光探测器沟道，利用超短沟道产生的隧穿电流，实现对不同波长范围的光线进行探测，光暗电流大，光响应速度快，光响应度高。该探测器包括绝缘衬底，建立在所述绝缘衬底上的底电极，完全覆盖所述底电极的沟道，位于所述沟道上方的顶电极。所述绝缘衬底为聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜、蓝宝石基片和带有氧化层的硅片中的一种，所述电极为金属电极，所述沟道为二维二硫化钼，所述沟道宽度为0.7-2

CN108831950A

CN108831950A权利要求书1/1页

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1.一种超短沟道金属-半导体-金属型光探测器，其特征在于，包括：绝缘衬底，建立在所述绝缘衬底上的底电极，完全覆盖所述底电极的沟道，位于所述沟道上方的顶电极；其中，所述底电极和顶电极分别为所述光探测器的源极和漏极。

2.根据权利要求1所述的光探测器，其特征在于，所述绝缘衬底为柔性透明的聚对苯二甲酸乙二醇酯塑料薄膜、透明的蓝宝石基片和带有氧化层的硅片中的一种。

3.根据权利要求1所述的光探测器，其特征在于，所述源极和漏极均为金属电极。

4.根据权利要求1所述的光探测器，其特征在于，所述沟道为二维二硫化钼沟道，所述源极和漏极分别构筑于二维二硫化钼沟道的上下表面，二维二硫化钼沟道的厚度即为所述光探测器的沟道宽度。

5.根据权利要求4所述的光探测器，其特征在于，所述二维二硫化钼沟道的厚度范围为

0.7-2nm,所述二维二硫化钼沟道的层数为1-3层。

6.一种超短沟道金属-半导体-金属型光探测器的制作方法，所述制作方法用于制作如权利要求1-5任一项所述的光探测器，其特征在于，所述制作方法包括：

提供绝缘衬底；

在所述绝缘衬底上构筑底电极；

转移二维二硫化钼至所述底电极上并完全覆盖所述底电极，形成沟道；

在所述沟道的上表面构筑顶电极。

7.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述二维二硫化钼的制备方法为氧气辅助化学气相沉积法，所述底电极的图案的制备方法为紫外曝光技术，所述顶电极的图案的制备方法为电子束刻蚀技术，所述底电极和顶电极均通过真空蒸镀方法制作，所述二维二硫化钼的转移方法为湿法转移技术。

8.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述氧气辅助化学气相沉积法为：在常压条件下，使用三氧化钼粉末和升华硫粉末作为钼源和硫源，所述钼源置于生长区，所述硫源置于载气上游，氩气为保护气氛，通以氧气辅助生长，生长衬底置于所述钼源的正上方。

9.根据权利要求8所述的制作方法，其特征在于，氩气流量为500sccm,氧气流量为2sccm,生长温度为850℃,硫源温度为180℃,生长时间为30min。

CN108831950A说明书1/3页

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一种超短沟道金属-半导体-金属型光探测器及制作方法

技术领域

[0001]本发明涉及光电子信息技术领域，涉及一种光探测器，尤其涉及一种超短沟道金属-半导体-金属型光探测器及其制作方法。

背景技术

[0002]光电探测器的原理是由辐射引起被照射材料电导率发生改变。根据可探测光波段的不同，光探测器可分为紫外光探测器、可见光探测器以及红外光探测器。紫外光探测器主要用于导弹预警及制导、紫外通讯、臭氧监测、明火探测、生物医药