CN108873602B 一种基于dna折纸纳米结构的制作掩膜版的方法 （厦门大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(45)授权

(10)授权公告号CN108873602B公告日2020.05.29

(21)申请号201810696045.5

(22)申请日2018.06.29

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN108873602A

(43)申请公布日2018.11.23

(73)专利权人厦门大学

地址361005福建省厦门市思明南路422号

(72)发明人陈宏肖代琴

(74)专利代理机构厦门南强之路专利事务所(普通合伙)35200

代理人马应森

(51)Int.CI.

GO3F1/78(2012.01)

GO3F1/68(2012.01)

B82Y40/00(2011.01)

审查员胡欢

权利要求书1页说明书4页附图1页

(54)发明名称

一种基于DNA折纸纳米结构的制作掩膜版的方法

(57)摘要

CN108873602B一种基于DNA折纸纳米结构的制作掩膜版的方法，涉及纳米制造领域。利用硅烷化试剂修饰基底，使基底表面的单分子层末端基团为惰性基团甲基；利用电子束曝光技术蚀刻单分子层；用带阳离子功能基团的试剂修饰经过处理的基底，使被电子束曝光出来的区域修饰上阳离子功能基团；将设计出特定形状和大小的DNA纳米结构经过退火合成，DNA折纸沉积在基底上，除去金属离子及多余DNA折纸；将基底放在容器中，容器内放入硅源试剂，反应得具有特定纳米图案的掩膜版；用紫外/臭氧处理掩膜版，除去表面的单分子层；利用DNA纳米结构作为图形骨架，硅源在自然条件或酸碱存在的条件下水解，生成二氧化硅包

CN108873602B

(1)硅烷化试剂修饰

(1)硅烷化试剂修饰

(4)沉积INA折纸纳米结构

(5)CYD硅化DNA折纸纳米结构

CN108873602B权利要求书1/1页

2

1.一种基于DNA折纸纳米结构的制作掩膜版的方法，其特征在于包括以下步骤：

1)利用硅烷化试剂修饰基底，使基底表面的单分子层末端基团为惰性基团甲基；

2)利用电子束曝光技术蚀刻单分子层，以达到图形有序、可控；

3)用带阳离子功能基团的试剂修饰经过步骤2)处理的基底，使被电子束曝光出来的区域修饰上阳离子功能基团；

4)将设计出特定形状和大小的DNA纳米结构经过退火合成，超滤除去多余短链的DNA折纸沉积在基底上，孵育后清洗基底，除去金属离子及多余DNA折纸；

5)将基底放在密闭容器中，容器内放入硅源试剂、促进硅源水解的酸或碱溶液，密封反应后，取出基底，即得到具有特定纳米图案的掩膜版；

6)用紫外/臭氧处理掩膜版，除去表面的单分子层；利用DNA纳米结构作为图形骨架，利用蒸发法将硅源附着在DNA骨架上，硅源在自然条件或酸碱存在的条件下水解，生成二氧化硅包覆DNA骨架，而DNA纳米结构是由致密的DNA链组成，形成致密的特定形状的二氧化硅图

形。

2.如权利要求1所述一种基于DNA折纸纳米结构的制作掩膜版的方法，其特征在于在步骤1)中，所述硅烷化试剂选自六甲基二硅氮烷或十八烷基三氯硅烷。

3.如权利要求1所述一种基于DNA折纸纳米结构的制作掩膜版的方法，其特征在于在步骤1)中，所述基底采用表面平整的玻璃或石英基片。

4.如权利要求1所述一种基于DNA折纸纳米结构的制作掩膜版的方法，其特征在于在步骤3)中，所述带阳离子功能基团的试剂选自3-氨丙基三乙氧基硅烷或四甲基氯化铵。

5.如权利要求1所述一种基于DNA折纸纳米结构的制作掩膜版的方法，其特征在于在步骤4)中，所述特定形状和大小根据实际需要而设计，小到DNA单链，大到尺寸为几微米的复杂DNA纳米图形；组成复杂DNA纳米图形的长链采用人工合成的长链、噬菌体M13mp18长链或其他生物体内的已知序列的长链。

6.如权利要求1所述一种基于DNA折纸纳米结构的制作掩膜版的方法，其特征在于在步骤4)中，所述清洗采用体积比乙醇：去离子水=9:1的溶液清洗。

7.如权利要求1所述一种基于DNA折纸纳米结构的制作掩膜版的方法，其特征在于在步骤5)中，所述硅源选自正硅酸乙酯、3-氨丙基三甲氧基硅烷或N-三甲氧基硅基丙基-N,N,N-三甲基氯化铵。

8.如权利要求1所述一种基于DNA折纸纳米结构的制作掩膜版的方法，其特征在于所述促进硅源水解的酸或碱选自氢氧化钠、氢氧化钾、氨水或盐酸。

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