CN108899412A 氮化铝基石墨烯tes超导器件及其制作方法 （江苏心磁超导体有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN108899412A

(43)申请公布日2018.11.27

(21)申请号201810733474.5

(22)申请日2018.07.06

(71)申请人江苏心磁超导体有限公司

地址215300江苏省苏州市昆山市花桥镇

徐公桥路2号683室

(72)发明人胡海涛

(74)专利代理机构石家庄轻拓知识产权代理事务所(普通合伙)13128

代理人王占华

(51)Int.CI.

HO1L39/12(2006.01)

HO1L39/24(2006.01)

G01J5/20(2006.01)

权利要求书1页说明书3页附图2页

(54)发明名称

氮化铝基石墨烯TES超导器件及其制作方法

(57)摘要

CN108899412A本发明公开了一种氮化铝基石墨烯TES超导器件及其制作方法，涉及太赫兹器件技术领域。所述TES器件采用在氮化铝衬底层上转移一层CVD生长的单层石墨烯作为热沉基板，在石墨烯上制作超导薄膜，实现对太赫兹波的探测。所述器件的制作工艺简单，与现有TES器件工艺兼容；采用氮化铝作为衬底，其散热系数优于原来的硅基方案；采用CVD生长的二维高散热率石墨烯材料作为声子耦合材料，热耦合系数更高，因此所

CN108899412A

在氮化铝衬底层上转移一层单层石墨烯层作为热沉基板

在所述石墨烯层上制作超导薄膜层，通过所述超导薄膜层实现对太赫兹波的探测

CN108899412A权利要求书1/1页

2

1.一种氮化铝基石墨烯TES超导器件，其特征在于：包括氮化铝衬底层(1),所述氮化铝衬底层(1)的上侧设置有石墨烯层(2),所述石墨烯层(2)的上侧设置有超导薄膜层(3)。

2.如权利要求1所述的氮化铝基石墨烯TES超导器件，其特征在于：所述器件还包括位于石墨烯层(2)与所述超导薄膜层(3)之间的Ti薄膜层(4)。

3.如权利要求1所述的氮化铝基石墨烯TES超导器件，其特征在于：所述超导薄膜层(3)包括位于下侧的声子超导薄膜层(31)以及位于上侧的电子超导薄膜层(32)。

4.如权利要求3所述的氮化铝基石墨烯TES超导器件，其特征在于：所述声子超导薄膜层(31)的制作材料为Au或Pd。

5.如权利要求3所述的氮化铝基石墨烯TES超导器件，其特征在于：所述电子超导薄膜层(32)的制作材料为Ti。

6.一种氮化铝基石墨烯TES超导器件的制作方法，其特征在于包括如下步骤：

在氮化铝衬底层(1)上转移一层单层石墨烯层(2)作为热沉基板；

在所述石墨烯层(2)上制作超导薄膜层(3),通过所述超导薄膜层(3)实现对太赫兹波的探测。

7.如权利要求6所述的氮化铝基石墨烯TES超导器件的制作方法，其特征在于：所述石墨烯层(2)采用CVD生长获得。

8.如权利要求6所述的氮化铝基石墨烯TES超导器件的制作方法，其特征在于：所述超导薄膜层(3)通过电子束蒸发或磁控溅射的方式生长，且其厚度为30nm-60nm。

9.如权利要求6所述的氮化铝基石墨烯TES超导器件的制作方法，其特征在于：所述超导薄膜层(3)包括位于下侧的声子超导薄膜层(31)以及位于上侧的电子超导薄膜层(32),所述声子超导薄膜层(31)的制作材料为Au或Pd,所述电子超导薄膜层(32)的制作材料为Ti,在生长所述超导薄膜层(3)之前先沉积一层厚度为10nm-15nm的Ti薄膜。

10.如权利要求6所述的氮化铝基石墨烯TES超导器件的制作方法，其特征在于：所述超导薄膜层(3)生长完毕之后，做一次光刻，通过刻蚀的方法完成所述薄膜的图形化，形成具有特定尺寸的TES超导器件。

CN108899412A说明书1/3页

3

氮化铝基石墨烯TES超导器件及其制作方法

技术领域

[0001]本发明涉及太赫兹器件技术领域，尤其涉及一种氮化铝基石墨烯TES超导器件及其制作方法。

背景技术

[0002]太赫兹波是指频率在100GHz-10THz范围内的电磁波，与毫米波的高端、亚毫米波及远红外有所交叠，处于宏观电子学向微观光子学的