CN108871656A 一种新型柔性剪应力与压力传感器结构和制作方法 （西北工业大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN108871656A

(43)申请公布日2018.11.23

(21)申请号201810633223.X

(22)申请日2018.06.20

(71)申请人西北工业大学

地址710072陕西省西安市友谊西路127号

(72)发明人马炳和王朋彬孙宝云罗剑邓进军

(74)专利代理机构西北工业大学专利中心

61204

代理人吕湘连

(51)Int.CI.

GO1L11/00(2006.01)

权利要求书1页说明书3页附图2页

(54)发明名称

一种新型柔性剪应力与压力传感器结构和制作方法

(57)摘要

CN108871656A本发明公开了一种新型柔性剪应力与压力传感器结构和制作方法，属于微机电系统(MEMS)领域。首先本发明可分别测量剪应力和压力。采用柔性基底，具有可弯曲扭转、曲面适应性等优点。首先将柔性基底贴附在玻璃片上，在上边先后分别溅射二氧化硅、阻刻层、测线、发热单元等形成发热单元和测量单元分离的具有纳米空腔的传感器。本发明的有益效果是：(1)传感器可以分别测量剪应力和压力，可实现单次安装测量多个物理参数；(2)传感器采用柔性基底，具有可弯

CN108871656A

CN108871656A权利要求书1/1页

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1.一种新型柔性剪应力与压力传感器，其特征在于，在柔性基底1上有二氧化硅层2,所述二氧化硅层2中部有一空腔4,空腔4中间上方位置是传感器的“三明治”式敏感单元，该敏感单元从上到下分别为发热单元8、二氧化硅绝缘层7和测量单元6;敏感单元由若干微米尺寸的简支梁5支撑在空腔4上端，简支梁5两端固定在空腔4两边的侧壁上；空腔4底部是由于工艺需求形成的阻刻层3,阻刻层3覆盖整个空腔底部。所述阻刻层3和敏感单元之间为纳米级间隙。

2.一种如权利要求1所述的新型柔性剪应力与压力传感器的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤一：将柔性基底粘连固定于硬质工艺基底上；

步骤二：在柔性基底表面溅射沉积一层二氧化硅；

步骤三：在二氧化硅上溅射并光刻阻刻层；

步骤四：继续溅射二氧化硅，而后在与阻刻层相应的位置利用深反应离子刻蚀技术刻蚀二氧化硅层至阻刻层形成空腔；而后在空腔位置溅射刻蚀形成硅牺牲层；

步骤五：溅射沉积二氧化硅，在二氧化硅上气相沉积金属材料，并光刻图形化形成测量单元；

步骤六：再溅射沉积二氧化硅，在此二氧化硅层上气相沉积金属材料，并光刻图形化形成发热单元；

步骤七：刻蚀图形化二氧化硅，形成简支梁结构；

步骤八：刻蚀硅牺牲层，形成腔室，然后从硬质工艺基地上释放柔性基底。

CN108871656A说明书1/3页

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一种新型柔性剪应力与压力传感器结构和制作方法

所属技术领域：

[0001]本发明涉及一种新型柔性剪应力与压力传感器结构和制作方法，属于微机电系统(MEMS)领域。

背景技术：

[0002]剪应力和压力是实验空气动力学领域重要的测量参数，但是目前存在的技术几乎都是分别使用不同的仪器进行测量，无法在同一位置同时进行测量。热敏式壁面剪应力微传感器可实现对壁面剪应力的间接测量，其中基于MEMS技术的壁面剪应力微传感器具有灵敏度高、功耗低、时间/空间分辨率高等特性。基于聚酰亚胺柔性基底的壁面剪应力微传感器不仅具有常规基底壁面剪应力微传感器的所有优点，而且传感器的安装测量不会破坏原有的模型结构且几乎不会对原有的流场产生干扰。热敏式压力测量在静压和低频脉动压测量领域也有较好的应用。

[0003]目前，剪应力和压力都能测量的传感器多是硅等硬质基底，而柔性基底的传感器却不能实现两个参数单个仪器的测量。

[0004]以法国里尔大学的论文《Hightemperaturegradientmicro-sensorforwallshearstressandflowdirectionmeasurements》为例，论文选用硅基底，在其上溅射刻蚀形成三个平行的测量单元，在中间的测量单元上边形成一个发热单元，最后在单元