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氮化硅湿法蚀刻中热磷酸的蚀刻率

氮化硅湿法蚀刻中热磷酸的蚀刻率

技术专栏TechnologyColumn

肖方2,汪辉,罗仕洲2

(1.上海交通大学微电子学院,上海200030;

2.中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,上海201203)

摘要:在半导体湿法蚀刻中,热磷酸广泛地用于对氮化硅的去除工艺,实践中发现

高温下磷

酸对氮化硅蚀刻率很难控制.从热磷酸在氮化硅湿法蚀刻中的蚀刻原理出发,分析

了影响蚀刻率

的各个因素,并通过实验分析了各个因素对蚀刻率的具体影响.根据目前广泛应用

于生产中的技

术,介绍了如何对相关因素进行控制调节,为得到稳定的热磷酸蚀刻率提供了方

向.

关键词:热磷酸;湿法蚀刻;蚀刻率;氮化硅

中图分类号:TN305.7文献标识码:A文章编号:1003—353X(2007)10—0000—04

HotPhosphoricAcidEtchRatetoSi3N4inWetEtching

XIAOFang,WANGHui,LUOShi—zhou2

(1.SchoolofMicroelectronics,ShanghaiJiaotongUniversity,Shanghai200030,China;

2.SemiconductorManufacturingInternationalCorporation,Shanghai201203,China)

Abstract:Inwetetchingprocessofsemiconductormanufacturing,thehotphosphoricacidisu

sed

widelyforSisN4removeprocess.ItisverydifficulttocontrolhotphosphoricetchratetoSisN4

inpractice.

AccordingtothereactionprincipleofhotphosphoricacidetchingSisN4,thefactorsthatwoul

daffectetchrate

wasanalyzed,andtheeffectsofthesefactorswerealsoanalyzedthroughexperiments.Basedo

nthe

technologythatappliedinproductionwidelyatpresent,howtocontrolandadjustcorrelatefac

torswas

introduced,thewaytogetstablehotphosphoricetchratewasgiven.

Keywords:hotphosphoricacid;wetetching;;etchrate;Si3N4

1引言

由于热磷酸对氮化硅(sN)蚀刻具有良好

的均匀性和较高的选择比,在半导体湿法蚀刻中常

用热磷酸作为si3N4的蚀刻液….而高温的磷酸受

各种因素的影响很不稳定,其对siN4的蚀刻率在

使用寿命中波动幅度颇大.据图1示例的SPC图表

收集到的蚀刻率数据,可知CPKlt;0.5,蚀刻率不

稳定,这给siN4蚀刻工艺带来很大的困扰.制造

中一般采用的sN厚度普遍大于100nm,而热磷酸

的蚀刻率在5nm/min左右,蚀刻率很小的波动也会

由于累积效应造成很大的蚀刻厚度差异,因此稳定

的蚀刻率对于si3N4湿法蚀刻工艺非常重要.图1

中的横坐标单位为13期,即在一段时间内对生产中

使用的磷酸蚀刻率进行随机测量得出的结果(一天

测一次,得出的数值统计图,也称统计制程管制

图).

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10/1510/191O,23108l1,01l1/O41l/0811/1111/14

基金项目:国家自然科学基金(NSF;上海市浦

江人才计划项目(05PJ14068)图1磷酸对SisN4蚀刻率数据SPC图

SemiconductorTechnologyVo1.32No.10847

肖方等:氮化硅湿法蚀刻中热磷酸的蚀刻率

2湿法工艺磷酸对Si3N4蚀刻的反应

机.理

从磷酸对SiN4蚀刻的工艺图(如图2)来看,

在STI完成填充siN4,经化学机械研磨去除掉隔离

区以外的SiO2后,停留在si3N4上,图2示出其剖

面图,磷酸用来蚀刻去除siO2上的一层si3N4,即

图2中虚线部分所示.一般工艺中都会预留一定的

过蚀