高温易挥发氧化物晶体的垂直区熔法生长与性能研究：原理、实践与展望.docxVIP

高温易挥发氧化物晶体的垂直区熔法生长与性能研究：原理、实践与展望

一、引言

1.1研究背景与意义

在材料科学领域，高温易挥发氧化物晶体凭借其独特的物理和化学性质，在现代科技的诸多前沿领域中扮演着不可或缺的角色。这些晶体具备高熔点、良好的热稳定性、化学稳定性以及特殊的光学、电学和磁学性能，使其成为众多高新技术发展的关键支撑材料。

以氧化镓（\mathrm{Ga_2O_3}）晶体为例，作为一种宽禁带半导体晶体，拥有出色的热稳定性和化学稳定性，在大功率、高电压和高电流密度的电子设备领域展现出巨大的应用潜力。在电力电子器件中，基于氧化镓晶体制作的功率器件，能够承受更高的电压和电流，显著提高能源转换