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调研GaN,SiC,Al2O3的x射线衍射

研究背景：为了制造更大发光功率的器件，实现三原色所必须的蓝色和高密度

的存储设备，人们越来越关注禁地宽度大，直接带隙的材料，这就是第三代半导

体材料。比以硅和Ga还有GaAs、InP为代表的带半导体材料更为有优势，应用

范围更为广阔。它具有禁带宽度大、电子迁移率大、抗高温、抗辐射等特点，非

常适合制作高温、高频和大功率电子器件以及蓝绿光、紫外光发光器件和光探测

器件等等。

GaN结构和性能：

GaN基本结构：GaN可以结晶形成三种结构：

由表1可知，四种缺陷GaN的带隙宽度比无缺陷的GaN的要大；晶格常数都发

生了改变：a值随空位的种类以及浓度的变化不大，而c值随Ga空位浓度增加

而增大，随N空位浓度增加而减少。N的负电性比Ga的强，图1a中可以看到

Ga-N键的电子云集中在N原子附近，Ga-N键具有明显的离子性。图1b、c中

由于存在Ga空位，电子云更加分散，使键作用增强，晶格常数c增加，导带向

高能方向移动，价带向低能方向移动，导致禁带宽度增加。图1d、e中存在N

空位，随着N空位浓度逐渐增加（a→d→e）,电子态密度下降，导致Ga-N的结

合能减弱，价带向低能方向移动，导带也向低能方向移动，，但相对于价带的移

动较小，且随着N空位的增加导带又反向向高能方向移动得更多，所以随着N空

位的增加，GaN的禁带宽度在不断地增加。

图2（a）是理想GaN晶体的分态密度图，图2（b）是GaN、Ga0.875N、Ga0.750N

的总态密度图谱，可以看出Ga0.875N、Ga0.750N与理想GaN的态密度峰值几

乎出现在同样位置，而总太密度低于理想GaN的。图2（c）中GaN0.875、GaN0.750

态密度峰值出现位置与理想GaN相差很大，由于费米能级附近的电子态密度决

定其电导率的大小，所以N缺陷对GaN的电导率影响较大。

综上所述，Ga、N的空位缺陷会使GaN晶格发生畸变，带隙变宽，从而影响其

电学性能。

碳化硅(SiC)：

碳化硅(SiC)是一种适于高温、高频、大功率电子学的新一代宽带隙半导体材

料．SiC单晶薄膜可以通过同质外延或异质外延的方法获得．异质外延生长可分

为两种结构形式：一种是在硅衬底上生长SiC薄膜，目前已经能够在硅衬底上生

长出单结晶的SiC薄膜。但是由于硅与SiC的晶格失配以及热膨胀系数失配很大

(分别为20％和8％)，生长薄膜中存在热应力及反相边界、堆垛层错、位错、微

孪晶等多种结构缺陷，严重影响了SiC晶体管、集成电路的电学特性．另一种形

式是采用蓝宝石(α-Al2O3)作为衬底材料，在其上生长SiC薄膜，但是它需要先

在蓝宝石衬底上淀积与SiC有良好晶格匹配的缓冲层材料，然后外延生长SiC薄

膜，从而提高SiC外延层的结晶质量

1衬底材料

蓝宝石是一种性能优良的绝缘材料，它的禁带宽度大(常温下约10eV)，熔点高，

硬度大，致密性好．它的化学性质稳定，除了能够被硝酸和硫酸的热混合液缓慢

腐蚀之外，几乎不与其他酸发生反应．

蓝宝石作为一种生长半导体薄膜的衬底材料在工艺上已经比较成

熟．Silicon-on-Sapphire结构就是以蓝宝石为衬底材料，在其上外延生长硅单晶

薄膜作为制作器件的活性区．它的漏电流和寄生电容极小，抗辐射性能好．因此，

无论从工艺的可行性还是从器件应用角度考虑蓝宝石也应该成为异质外延SiC

薄膜良好的衬底材料．

但是，在蓝宝石上直接生长SiC薄膜时不易成核，而且黏附性不好；蓝宝石与

SiC之间还存在较大的晶格失配(9％～15％)．因此，直接在蓝宝石衬底上外延生

长高质量的SiC单晶薄膜的困难很大．

AlN晶体与SiC一样具有结构多型特点，它也有闪锌矿和纤维锌矿结构．AlN

材料热导率高，高温及化学稳定性好，绝缘性能好．AlN晶体与SiC之间的晶格

失配很小(只有1％)，与SiC的热膨胀系数也极为接近．此外，AlN与SiC之间

的黏附性也很好，生长出的SiC薄膜不易脱落，因此选用它作为生长碳化硅的衬

底缓冲层是合适的．纯AlN是高阻的(1010Ω.cm)，不会降低蓝宝石的绝缘质量；

AlN的带隙很宽(6.2eV)，它对紫外光是透明的，因此作为缓冲层不会妨碍SiC

在短波光电器件方面的应用［3］．

笔者对以蓝宝石/AlN为复合衬