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化学机械抛光液（CMP）氧化铝抛光液

一、行业的界定与分类2

（一）化学机械抛光2

1、化学机械抛光概念2

2、CMP工艺的基本原理2

3、CMP技术所采用的设备及消耗品2

4、CMP过程2

5、CMP技术的优势2

（二）化学机械抛光液3

1、化学机械抛光液概念3

2、化学机械抛光液的组成3

3、化学机械抛光液的分类3

4、CMP过程中对抛光液性能的要求3

（三）化学机械抛光液的应用领域3

二、原材料供应商4

三、化学机械抛光液行业现状4

（一）抛光液行业现状4

1、国际市场主要抛光液企业分析4

2、我国抛光液行业运行环境分析4

3、我国抛光液行业现状分析5

4、我国抛光液行业重点企业竞争分析5

（二）抛光液行业发展趋势5

（三）抛光液行业发展的问题5

四、需求商6

（一）半导体硅材料6

1、电子信息产业介绍6

2、半导体硅材料的简单介绍6

（二）分立器件行业7

（三）抛光片8

化学机械抛光液行业研究

一、行业的界定与分类

（一）化学机械抛光

1、化学机械抛光概念

化学机械抛光（英语：Chemical-MechanicalPolishing，缩写CMP），又

称化学机械平坦化（英语：Chemical-MechanicalPlanarization），是半导体

器件制造工艺中的一种技术，用来对正在加工中的硅片或其它衬底材料进行平

坦化处理。

2、CMP工艺的基本原理

基本原理是将待抛光工件在一定的下压力及抛光液(由超细颗粒、化学氧化

剂和液体介质组成的混合液)的存在下相对于一个抛光垫作旋转运动,借助磨粒

的机械磨削及化学氧化剂的腐蚀作用来完成对工件表面的材料去除,并获得光洁

表面。

3、CMP技术所采用的设备及消耗品

主要包括，抛光机、抛光液、抛光垫、后CMP清洗设备、抛光终点检测及

工艺控制设备、废物处理和检测设备等，其中抛光液和抛光垫为消耗品。

4、CMP过程

过程主要有抛光、后清洗和计量测量等部分组成，抛光机、抛光液和抛光

垫是CMP工艺的3大关键要素，其性能和相互匹配决定CMP能达到的表面平整

水平。

5、CMP技术的优势

最初半导体基片大多采用机械抛光的平整方法,但得到的表面损伤极其严重，

基于淀积技术的选择淀积、溅射玻璃SOG(spin-on-glass)、低压CV

D(chemicalvaporde-posit)、等离子体增强CVD、偏压溅射和属于结构的溅射

后回腐蚀、热回流、淀积-腐蚀-淀积等方法也曾在IC工艺中获得应用,但均属

局部平面化技术,其平坦化能力从几微米到几十微米不等,不能满足特征尺寸在

0.35μm以下的全局平面化要求。1991年IBM首次将化学机械抛光技术成功应

用到64MbDRAM的生产中，之后各种逻辑电路和存储器以不同的发展规模走向

CMP，CMP将纳米粒子的研磨作用与氧化剂的化学作用有机地结合起来，满足了

特征尺寸在0.35μm以下的全局平面化要求，CMP可以引人注目地得到用其他

任何平面化加工不能得到的低的表面形貌变化。目前，化学机械抛光技术已成

为几乎公认为惟一的全局平面化技术，其应用范围正日益扩大。

（二）化学机械抛光液

1、化学机械抛光液概念

化学机械抛光液是在利用化学机械抛光技术对半导体材料进行加工过程中

的一种研磨液体，由于抛光液是CMP的关键要素之一，它的性能直接影响抛光

后表面的质量，因此它也成为半导体制造中的重要的、必不缺少的辅助材料。

2、化学机械抛光液的组成

化学机械抛光液的组成一般包括一般由超细固体粒子研磨剂（如纳米

SiO2、Al2O3粒子等）、表面活性剂、稳定剂、氧化剂等。