芯片制造与技术资料半导体IC清洗技术.pdfVIP

半导体IC清洗技术

李仁

（中国电子科技集团公司第四十五研究所，北京101601）

摘要：介绍了半导体IC制程中存在的各种污染物类型及其对IC制程的影响和

各种污染物的去除方法,并对湿法和干法清洗的特点及去除效果进行了分析比

较。

关键词：湿法清洗；RCA清洗；稀释化学法；IMEC清洗法；单晶片清洗；干法

清洗

中图分类号：TN305.97文献标识码：B文章编号：1003-353X(2003)09-0044-

04

1前言

半导体IC制程主要以20世纪50年代以后发明的四项基础工艺（离子注入、扩

散、外延生长及光刻）为基础逐渐发展起来，由于集成电路内各元件及连线相

当微细，因此制造过程中，如果遭到尘粒、金属的污染，很容易造成晶片内电

路功能的损坏，形成短路或断路等，导致集成电路的失效以及影响几何特征的

形成。因此在制作过程中除了要排除外界的污染源外，集成电路制造步骤如高

温扩散、离子植入前等均需要进行湿法清洗或干法清洗工作。干、湿法清洗工

作是在不破坏晶圆表面特性及电特性的前提下，有效地使用化学溶液或气体清

除残留在晶圆上之微尘、金属离子及有机物之杂质。

2污染物杂质的分类

IC制程中需要一些有机物和无机物参与完成，另外，制作过程总是在人的参与

下在净化室中进行，这样就不可避免的产生各种环境对硅片污染的情况发生。

根据污染物发生的情况，大致可将污染物分为颗粒、有机物、金属污染物及氧

化物。

2.1颗粒

颗粒主要是一些聚合物、光致抗蚀剂和蚀刻杂质等。通常颗粒粘附在硅表面，

影响下一工序几何特征的形成及电特性。根据颗粒与表面的粘附情况分析，其

粘附力虽然表现出多样化，但主要是范德瓦尔斯吸引力，所以对颗粒的去除方

法主要以物理或化学的方法对颗粒进行底切，逐渐减小颗粒与硅表面的接触面

积，最终将其去除。

2.2有机物

有机物杂质在IC制程中以多种形式存在，如人的皮肤油脂、净化室空气、机械

油、硅树脂真空脂、光致抗蚀剂、清洗溶剂等。每种污染物对IC制程都有不

同程度的影响，通常在晶片表面形成有机物薄膜阻止清洗液到达晶片表面。因

此有机物的去除常常在清洗工序的第一步进行。

2.3金属污染物

IC电路制造过程中采用金属互连材料将各个独立的器件连接起来，首先采用光

刻、蚀刻的方法在绝缘层上制作接触窗口，再利用蒸发、溅射或化学汽相沉积

（CVD）形成金属互连膜，如Al-Si，Cu等，通过蚀刻产生互连线，然后对沉积

介质层进行化学机械抛光（CMP）。这个过程对IC制程也是一个潜在的污染过

程，在形成金属互连的同时，也产生各种金属污染。必须采取相应的措施去除

金属污染物。

2.4原生氧化物及化学氧化物

硅原子非常容易在含氧气及水的环境下氧化形成氧化层，称为原生氧化层。硅

晶圆经过SC-1和SC-2溶液清洗后，由于双氧水的强氧化力，在晶圆表面上会

生成一层化学氧化层。为了确保闸极氧化层的品质，此表面氧化层必须在晶圆

清洗过后加以去除。另外，在IC制程中采用化学汽相沉积法（CVD）沉积的氮

化硅、二氧化硅等氧化物也要在相应的清洗过程中有选择的去除。

3清洗方法分类

3.1湿法清洗

湿法清洗采用液体化学溶剂和DI水氧化、蚀刻和溶解晶片表面污染物、有机物

及金属离子污染。通常采用的湿法清洗有RCA清洗法、稀释化学法、IMEC清

洗法、单晶片清洗等。

3.1.1RCA清洗法

最初，人们使用的清洗方法没有可依据的标准和系统化。1965年，RCA（美国

无线电公司）研发了用于硅晶圆清洗的RCA清洗法，并将其应用于RCA元件制

作上。该清洗法成为以后多种前后道清洗工艺流程的基础，以后大多数工厂中

使用的清洗工艺基本是基于最初的RCA清洗法。

典型的RCA清洗见表1。

RCA清洗法依靠溶剂、酸、表面活性剂和水，在不破坏晶圆表面特征的情况下

通过喷射、净化、氧化、蚀刻和溶解晶片表面污染物、有机物及金属离子污染。

在每次使用化学品后都要在超纯水（UPW）中彻底清洗。以下是常用清洗液及作

用。

（1）Ammoniumhydroxide/hydrogenperoxide/DIwater