第六七章及电致发光.pptVIP

第六七章及电致发光;优选第六七章及电致发光;§6.1.2气体放电的伏安特性;;气体中少量自由电子在电场作用下定向运动，产生电流。这些电子如果有足够的能量使其他原子电离，则会产生更多的自由电子，形成雪崩过程，使电流指数增加。;当离子产生的二次电子和二次电子产生的离子在数量上达到平衡时，就无需外电场产生额外的电离电荷便可维持放电，成为自持放电。;§6.1.3帕邢定律;根据实际气体的测量结果，?和p(气压)之间的关系

由此得到

击穿电压UB=Ed代入上式

;在气体放电中，击穿电压取决于气压和电极间的间距的乘积;;§6.2PDP显示原理;§6.2.2直流PDP显示的自扫描原理;?R接地，?1、?2、?3接+85V,复位阴极点火

?1接地，复位阴极加+85V，电极1点火，而电极4不点火

?2接地，?1加+85V，电极2点火，电极5不点火

依次类推，用三个位相的方波轮流交替，实现自扫描过程。

图像显示的亮暗点由显示阳极控制。当扫描到某点时，显示阳极加+250V，使放电通过引火孔到达上端。;§6.2.3交流PDP显示;;测量壁电压变化和Ug的关系;§6.3彩色PDP显示器工作原理;PDP的荧光粉;;;;背板制作过程;阻隔壁的制作方法;结构显微图;荧光粉的制作;荧光粉照片;FrontGlass;前面板的制作;Bus电极的制作;MgO层的镀制;封装;;显示板;PDP屏的屏蔽玻璃(EMIfilter);;PDP的灰度显示;PDP的放大照片;PDP的驱动电路;PDP面板的驱动电路;目前主要PDP显示板的分辨率;PDP的缺陷;缺陷的参数;PDP的寿命;*;第七章电致发光显示;§7.1无机电致发光的发光机理;晶体能带

;禁带;场激发电致发光;§7.2无机场激发电致发光;在不同频率下交流器件的发光强度不同，在低频下发光强度和频率成正比，而在较高频率下，发光强度则趋于饱和;直流粉末EL器件结构;;器件的发光强度可以表示为;;和粉末型器件相比，交流薄膜器件有较高的发光亮度和较陡的阈值，适合于无源矩阵驱动;;§7.2.4EL器件的驱动;§7.2.5彩色EL器件的实现;;彩色器件的结构可分为三种：多层式，色点式和彩色滤光片式三种;色点方式是把不同颜色的发光材料用光刻方法同时镀在同一平面，类似与彩色显象管;用滤光片的方法是采用白色发光材料，在相对应得控制电极上覆盖三色滤光片来实现彩色．这种方法类似与彩色TFT液晶显示屏;§7.3电荷注入式电致发光显示

－－发光二极管(LED);直接带隙半导体和间接带隙半导体;费米-狄拉克分布;p型、n型和I型半导体;;掺杂量和费米能级移动量的关系;pn结;LED发光机理

载流子的复合;pn结的能带图;LED内的复合种类;LED的内量子效率;即辐射复合和非辐射复合数之比。其中Rr，Rnr为辐射复合和非辐射复合几率，?r，?nr为辐射复合和非辐射复合载流子寿命;LED的外部量子效率;一些半导体材料的外部量子效率;LED的性能;*;一个红光LED的发光光谱;2.LED的电光特性;;LED的结构;;如何提高外量子效率;异质结发光二极管;LED的响应速度较高，因此LED也可以做为光的调制器件。LED的截止频率为：;用于LED的半导体材料;;;LED的参数;6.正向工作电流IF;LED的驱动;LED的矩阵扫描：

H1,H2,…为扫描电压，由L1,L2的高低电平确定LED是否发光;LED模块内部的连线;*;§7.4有机电致发光(OEL,OLED);§7.4.1有机电致发光器件结构及发光机理;多层EL器件的结构图和能带图;最常用的发光材料是Alq．孔穴传输材料则为TPD和NPB．它

们的典型器件结构图如下．其中的CuPc为缓冲层．;多数有机材料的发光颜色较纯．Alq的发光颜色为绿色，峰值波长为528nm，它的发光特性如下图;上述典型Alq三层结构器件的驱动电压较低，电流较小，发光效率较高;;有机材料的导电机理;有机分子发光;较高的荧光量子效率

较好的载流子传输特性

容易真空升华成膜

良好的光和热稳定性

典型材料

8-羟基喹啉铝（绿光532nm）

LiB(mq)4(蓝光470nm）

聚苯乙烯撑（黄绿）

聚噻吩（红光）

聚对苯撑和聚烷基芴（蓝光）

;有机空穴传输材料;有机电子传输材料;小分子有机物

小分子有机染料：选择范围广，易提纯；存在浓度淬灭等问题，导致发射峰变宽或红移。一般以低浓度掺杂在具有某种载流子性质的主体中。红、绿、蓝光均有成熟的染料。

有机金属配合物：既有有机物高荧光量子产率的优点，又有无机物稳定性好的优点。其中稀土络合物具有窄带波长发射、荧光寿命长等特点。

分子