原创力文档National Third Generation Semiconductor Technology Innovation Center项目指南10014英寸低热阻金刚石基GaN晶圆 1002高压大功率碳化硅MOSFET器件产业化技术研发说明书用户手册.pdf
国家第三代半导体技术创新中心（苏州）
“揭榜挂帅”项目指南（2025年度）
国家第三代半导体技术创新中心（苏州）聚焦第三代半导体关键
核心技术和重大应用需求，围绕落实国家科技创新重大任务部署，集
聚优势力量协同攻关，加快核心技术突破，促进科技成果转化。
一、功率电子器件及应用专项
本专项目标：针对新一代信息技术和能源变革对高性能功率电子
器件的需求，以GaN（氮化镓）和SiC（碳化硅）为核心材料，重点
发展高集成度、高耐压功率器件和新型结构器件，推动产业链向高端
化、绿色化、智能化发展。力争突破一批具有自主知识产权的
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