CN1816917A 具有渐变折射率减反射层的发光器件及其制作方法 (克里公司).docxVIP

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CN1816917A 具有渐变折射率减反射层的发光器件及其制作方法 (克里公司).docx

[19]中华人民共和国国家知识产权局[51]Int.Cl.H01L33/002006.01)

[12]发明专利申请公开说明书

[21]申请号200480011589.X

[43]公开日2006年8月9日[11]公开号CN1816917A

[22]申请日2004.4.13

[21]申请号200480011589.X

[30]优先权

[32]2003.4.30[33]US[31]60/466,618

[86]国际申请PCT/US2004/0113592004.4.13

[87]国际公布WO2004/100278英2004.11.18

[85]进入国家阶段日期2005.10.28

[71]申请人克里公司

地址美国北卡罗来纳州

[72]发明人G·H·内格利

[74]专利代理机构中国专利代理(香港)有限公司代理人刘红梁永

权利要求书6页说明书9页附图4页

[54]发明名称

具有渐变折射率减反射层的发光器件及其制作方法

[57]摘要

300370365衬底305315320二335二345二340360310a310b350330一种发光器件(300),包括:衬底(305),其对于光辐射至少是部分透明的并具有第一折射率。二极管区域(315,320,325)布置在衬底的第一表面(310b)之上,配置成响应其上施加的电压而发射光。封装层(370)布置在衬底的第二表面上并具有第二折射率。减反射层(365)布置在衬底(305)的第一表面(310a)和封装层(370)之间。

300

370

365

衬底

305

315

320二

335二

345二

340

360

310a310b

350

330

200480011589.X权利要求书第1/6页

2

1.一种发光器件,包括:

衬底,其对于光辐射至少是部分透明的,并具有第一表面、第二表面和第一折射率;

位于衬底的第一表面之上的二极管区域,配置成响应其上施加的电压而发射光;和

位于衬底的第二表面之上的减反射层,其具有渐变的折射率,该渐变折射率值的范围位于减反射层的第一表面处的大约第一折射率和对应

于减反射层的第二表面处封装材料折射率的大约第二折射率之间。

2.权利要求1所述的发光器件,其中减反射层的第一表面与衬底的第二表面邻近。

3.权利要求1所述的发光器件,其中衬底包括SiC,减反射层包括(SiC)×(SiO?)1-x。

4.权利要求3所述的发光器件,其中x在减反射层的第一表面大约为1.0,在减反射层的第二表面大约为0.

5.权利要求1所述的发光器件,其中衬底包括Al?0?,减反射层包括(A1?O?)x(SiO?)1-x。

6.权利要求5所述的发光器件,其中x在减反射层的第一表面大约为1.0,在减反射层的第二表面大约为0.

7.权利要求1所述的发光器件,其中减反射层包括聚合物。

8.权利要求1所述的发光器件,其中衬底包括SiC,第一折射率大约为2.6,第二折射率大约为1.5.

9.权利要求1所述的发光器件,其中衬底包括A1?0?,第一折射率大约为1.8,第二折射率大约为1.5.

10.权利要求1所述的发光器件,其中渐变折射率由函数f(x)表示,其中x代表减反射层的厚度,该减反射层的厚度起始于减反射层的第一表面终止于减反射层的第二表面。

11.权利要求10所述的发光器件,其中f(x)是线性的。

12.权利要求1所述的发光器件,其中封装材料位于减反射层的第二表面上。

13.一种形成发光器件的方法,包括:

200480011589.X权利要求书第2/6页

3

提供对于光辐射至少是部分透明的衬底,该衬底包括第一表面、第二表面,和第一折射率;

在衬底的第一表面上形成二极管区域,其响应其上施加的电压而发射光;和

在衬底的第二表面上形成减反射层,其具有渐变的折射率,该渐变折射率值的

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