CN1788357A 具有一个有源区域以及耦合到其相对表面的电接触件的发光装置及其制作方法 （克里公司）.docxVIP

[19]中华人民共和国国家知识产权局[51]Int.Cl.

HO1L33/00(2006.01)

[12]发明专利申请公开说明书

[21]申请号200480011632.2

[43]公开日2006年6月14日[11]公开号CN1788357A

[22]申请日2004.4.13

[21]申请号200480011632.2

[30]优先权

[32]2003.4.30[33]US[31]60/466,617

[86]国际申请PCT/US2004/0113582004.4.13

[87]国际公布WO2004/100277英2004.11.18

[85]进入国家阶段日期2005.10.31

[71]申请人克里公司

地址美国北卡罗来纳州

[72]发明人G·H·内格利

[74]专利代理机构中国专利代理(香港)有限公司代理人程天正梁永

权利要求书3页说明书7页附图6页

[54]发明名称

具有一个有源区域以及耦合到其相对表面的电接触件的发光装置及其制作方法

[57]摘要

一种发光装置包括一个衬底(205),该衬底具有一个延伸穿过第一和第二相对表面之间的接触插塞(240)。一个有源区域位于该第一表面上，第一电接触件位于该有源区域上，并且第二电接触件邻近该衬底的第二表面。该接触插塞将该第二电接触件耦合到该有源区域。这样的结构可以允许电接触件位于芯片的相对两侧上，这样可以增加在晶片上所能形成的装置的数量。

235

-220

210a-240

210b

245

200480011632.2权利要求书第1/3页

2

1.一种发光装置，包括：

一个衬底，该衬底具有一个在第一和第二相对表面之间延伸通过的接触插塞；

5位于该第一表面上的一个有源区域；

位于该有源区域上的第一电接触件；以及

邻近该第二表面的第二电接触件，该接触插塞将该第二电接触件耦合到该有源区域。

2.根据权利要求1的发光装置，还包括：

10在该第一表面和该有源区域之间的一个欧姆接触件层。

3.根据权利要求2的发光装置，其中该欧姆接触件层包括下列各项的至少其中之一：TiN、铂、镍/金、氧化镍/金、氧化镍/铂、Ti以及钛/金。

4.根据权利要求2的发光装置，其中该欧姆接触件层具有大约10

15埃至大约100埃之间的厚度。

5.根据权利要求1的发光装置，其中所述衬底包括蓝宝石。

6.根据权利要求1的发光装置，其中所述接触插塞包括金、银、金合金和/或银合金。

7.根据权利要求1的发光装置，其中所述第一和第二电接触件是

20基本相互对准的。

8.根据权利要求1的发光装置，其中所述第一和第二电接触件是互相偏移的。

9.根据权利要求1的发光装置，其中所述有源区域包括：

位于该第一表面上的一个n型层；以及

25位于该n型层上的一个p型层。

10.根据权利要求9的发光装置，其中所述第一电接触件包括铂、镍和钛/金中的至少其中之一。

11.根据权利要求9的发光装置，其中所述第二电接触件包括铝和钛的至少其中之一。

3012.根据权利要求9的发光装置，其中所述n型层包括GaN.

13.根据权利要求9的发光装置，其中所述p型层包括GaN.

14.根据权利要求1的发光装置，其中所述欧姆接触件层是至少

200480011632.2权利要求书第2/3页

3

部分透明的。

15.一种形成发光装置的方法，包括：

在一个具有第一和第二相对表面的衬底的第一表面上形成一个有源区域；

5在该第一和第二相对表面之间、在该衬底中形成一个通孔；

在该通孔中形成一个接触插塞；

在该有源区域上形成第一电接触件，以及

在邻近该第二表面处形成第二电接触件，该第二电接触件通过该接触插塞耦合到该有源区域。

1016.根据权利要求15的方法，还包括：