CN1767097A 空芯结构射频螺线管微电感的制作方法 （上海交通大学）.docxVIP

[19]中华人民共和国国家知识产权局

[12]发明专利申请公开说明书

[21]申请号200510029316.4

[51]Int.Cl.

HO1F41/00(2006.01)

HO1L21/00(2006.01)B81C1/00(2006.01)

[43]公开日2006年5月3日[11]公开号CN1767097A

[22]申请日2005.9.1

[21]申请号200510029316.4

[71]申请人上海交通大学

地址200240上海市闵行区东川路800号

[72]发明人周勇王西宁赵小林曹莹

高孝裕

[74]专利代理机构上海交达专利事务所代理人王锡麟王桂忠

权利要求书2页说明书7页

[54]发明名称

空芯结构射频螺线管微电感的制作方法

[57]摘要

一种微电子技术领域的空芯结构射频螺线管微电感的制作方法，采用微机电系统技术，对双面氧化的硅片进行处理，得到双面套刻对准符号，以便曝光时提高对准精度；采用准-LIGA技术和厚光刻胶工艺制备线圈和连接导体的光刻胶模具；采用电镀工艺和抛光技术解决线圈绕线和连接导体；采用物理刻蚀技术去除电镀用的导体，避免湿法刻蚀工艺带来的钻蚀现象。本发明解决了螺线管线圈的立体绕线及高深宽比的电镀问题，使得微电感的射频性能大大提高，具有广泛的用途。

200510029316.4权利要求书第1/2页

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1、一种空芯结构射频螺线管微电感的制作方法，其特征在于，具体步骤如下：

(1)在清洗处理过的双面氧化的硅片衬底双面甩正胶，将硅片单面曝光、显影后，在BHF腐蚀液里刻蚀二氧化硅，最后用丙酮去除所有的光刻胶，得到双面套刻对准符号；

(2)在硅片的另一面淀积Cr/Cu底层，下面工艺均在此面上进行；

(3)甩正胶，曝光、显影，得到底层线圈图形，然后电镀铜底层线圈；

(4)甩正胶，曝光、显影，得到引脚和平面波导线的图形，电镀引脚和平面波导线，电镀材料为铜，然后用丙酮去除所有的光刻胶；

(5)甩正胶，曝光、显影，得到连接导体的图形，电镀连接导体，电镀材料为铜；

(6)用丙酮去除所有的光刻胶后，用物理方法刻蚀Cr/Cu底层；

(7)甩正胶，然后抛光正胶，直到连接导体暴露为止；

(8)溅射Cr/Cu底层；

(9)甩正胶，曝光与显影后，得到顶层线圈的图形，电镀顶层线圈，电镀材料为铜；

(10)将整个基片进行全曝光，用显影液去除顶层光刻胶后，用物理方法刻蚀Cr/Cu底层，然后用丙酮去除未固化的其余光刻胶，最终得到空芯结构射频螺线管微电感。

2、如权利要求1所述的空芯结构射频螺线管微电感，其特征是，所述Cr/Cu底层的制备工艺为：基底的真空为4×10-4Pa,溅射条件选择为溅射Ar气压和溅射功率分别为0.67Pa和800W,氩气流量为20SCCM。

3、如权利要求1所述的空芯结构射频螺线管微电感，其特征是，步骤 (1)中，在清洗处理过的双面氧化的硅片衬底双面甩正胶AZ4000系列，光刻胶厚度为5～8μm,光刻胶烘干温度为95℃,时间为30分钟。

200510029316.4权利要求书第2/2页

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4、如权利要求1所述的空芯结构射频螺线管微电感，其特征是，步骤

(2)中，在硅片的另一面淀积Cr/Cu底层，厚度为100nm。

5、如权利要求1所述的空芯结构射频螺线管微电感，其特征是，步骤 (3)中，甩正胶，光刻胶厚度为5～10μm,光刻胶烘干温度为95℃,时间为30分钟；电镀铜底层线圈，厚度为5～10μm。

6、如权利要求1所述的空芯结构射频螺线管微电感，其特征是，步骤 (4)中，甩正胶，光刻胶的厚度为10μm,光刻胶烘干温度为95℃,时间为60分钟；电镀引脚和平面波导线，厚度为10μm。

7、如权利要求1所述的空芯结构射频螺线管微电感，其特征是，步骤 (5)中，甩正胶，光刻胶的厚度为60μm,光刻胶烘干温度为90℃,时间为120分钟；电镀连接导体，厚度为40～50μm。

8、如权利要求1所述的空芯结构射频螺线管微电感，其特征是，步骤 (7)中，甩正胶，厚度为60μm,光刻胶烘干温度为115℃,时间为120分