CN1753163A 制作晶片背面内连接导线的方法 （探微科技股份有限公司）.docxVIP

[19]中华人民共和国国家知识产权局

[12]发明专利申请公开说明书

[21]申请号200410082464.8

[51]Int.Cl.

HO1L21/768(2006.01)

HO1L21/28(2006.01)

[43]公开日2006年3月29日[11]公开号CN1753163A

[22]申请日2004.9.22

[21]申请号200410082464.8

[71]申请人探微科技股份有限公司地址台湾省桃园县

[72]发明人邵世丰杨辰雄彭新亚

[74]专利代理机构北京市柳沈律师事务所代理人陶凤波侯宇

权利要求书3页说明书5页附图9页

[54]发明名称

制作晶片背面内连接导线的方法

[57]摘要

首先提供一晶片，该晶片利用一上盖晶片加以保护，且包括至少一电路元件以及至少一金属连接垫。接着于该晶片背面形成一屏蔽层，并利用该屏蔽层进行一第一蚀刻工艺，以去除未被该屏蔽层遮蔽的该晶片以形成一圆弧形状的缺口。之后去除该屏蔽层，并进行一第二蚀刻工艺以暴露出该金属连接垫。最后于该晶片背面形成一内连接导线。

200410082464.8权利要求书第1/3页

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1.一种制作晶片背面内连接导线的方法，该晶片具有一晶片正面与一晶片背面，且该晶片包括至少一设置于该晶片正面的电路元件以及至少一设于

5该晶片正面并与该电路元件电连接的连接垫，该方法包括：

于该晶片背面形成一屏蔽层，且该屏蔽层包括至少一与该连接垫相对应的开口；

利用该屏蔽层由该晶片背面进行一第一蚀刻工艺，以去除未被该屏蔽层遮蔽的该晶片以形成一缺口；

10去除该屏蔽层；以及

于该晶片背面形成一内连接导线。

2.如权利要求1所述的方法，其中该晶片正面上还包括一上盖晶片。

3.如权利要求2所述的方法，其中该上盖晶片利用一接合层与该晶片正面接合。

154.如权利要求2所述的方法，其中该上盖晶片利用阳极接合方式与该晶片正面接合。

5.如权利要求2所述的方法，其中该上盖晶片利用等离子体辅助接合方式与该晶片正面接合。

6.如权利要求1所述的方法，还包括于该晶片背面形成该屏蔽层之前，20先对该晶片背面进行一晶片薄化工艺。

7.如权利要求6所述的方法，其中该晶片薄化工艺包括选择性地进行一粗磨(grinding)工艺、一研磨(polishing)工艺、一化学机械研磨工艺、一湿式蚀刻工艺或一等离子体蚀刻工艺，或进行上述五种工艺的任意组合。

8.如权利要求6所述的方法，其中该晶片薄化工艺为一应用于硅覆绝缘

25基底(silicononinsulator,SOI)芯片的薄化工艺。

9.如权利要求6所述的方法，其中于进行完该晶片薄化工艺后，该晶片的厚度小于100微米。

10.如权利要求1所述的方法，其中于进行完该第一蚀刻工艺后，该缺口的侧壁呈现一圆弧形状，且此时该连接垫并未暴露。

3011.如权利要求10所述的方法，其中该第一蚀刻工艺为一各向同性蚀刻工艺。

200410082464.8权利要求书第2/3页

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12.如权利要求11所述的方法，于去除该屏蔽层之后还包括进行一第二蚀刻工艺，由该晶片背面全面去除该晶片直至暴露出该连接垫。

13.如权利要求1所述的方法，其中于进行完该第一蚀刻工艺后，该缺口的侧壁呈现一向外倾斜状态，且此时该连接垫呈现一暴露状态。

514.如权利要求13所述的方法，其中该第一蚀刻工艺为一各向异性蚀刻工艺。

15.如权利要求1所述的方法，其中形成该内连接导线的步骤包括：

于该晶片背面形成一绝缘层，且该绝缘覆盖该晶片背面、该缺口内的该晶片与该连接垫；

10于该晶片背面形成一光致抗蚀剂层，且该光致抗蚀剂层包括一开口，暴露出该连接垫；

去除未被该光致抗蚀剂层遮蔽的该绝缘层，以暴露出该连接垫；

去除该光致抗蚀剂层；以及

于该晶片背面定义出该内连接导线的图案。

1516.如权利要求15所述的方法，其中该内连接导线的图案利用沉积与蚀刻技术加以定义。

17.如权利要求15所述的方法，其中该内连接导线的图