CN1755951A 发光二极管及其制作方法 （国联光电科技股份有限公司）.docxVIP

[19]中华人民共和国国家知识产权局[51]Int.Cl.

HO1L33/00(2006.01)

[12]发明专利申请公开说明书

[21]申请号200410011799.0

[43]公开日2006年4月5日[11]公开号CN1755951A

[22]申请日2004.9.29

[21]申请号200410011799.0

[71]申请人国联光电科技股份有限公司地址台湾省新竹科学工业园区

[72]发明人杜全成林锦源

[74]专利代理机构北京市柳沈律师事务所代理人陶凤波侯宇

权利要求书2页说明书6页附图4页

[54]发明名称

发光二极管及其制作方法

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本发明提供一种发光二极管及其制作方法。此发光二极管包括一发光结构、一硅基板及一接合层。发光结构包括二层半导体层，二层半导体层为不同掺杂类型。发光结构通入一电流时发光。硅基板包括二个区域，二个区域为不同掺杂类型。接合层供接合发光结构与硅基板，使最近的半导体层与区域为不同掺杂类型。

200410011799.0权利要求书第1/2页

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1.一种发光二极管，包括：

一发光结构，包括二层半导体层，该二层半导体层为不同掺杂类型，该5发光结构通入一电流时发光；

一硅基板，包括二个区域，该二个区域为不同掺杂类型；以及

一接合层，供接合该发光结构与该硅基板，使最近的该半导体层与该区域为不同掺杂类型。

2.如权利要求1所述的发光二极管，其中该掺杂类型包括p型与n

10型。

3.如权利要求2所述的发光二极管，其中该硅基板选自一部分掺杂成n型的一p型掺杂硅基板及一部分掺杂成p型的一n型掺杂硅基板所组成的

群组。

4.如权利要求2所述的发光二极管，其中该发光结构还包括：

15一第一欧姆接触金属层，接触该二层半导体层之一；一介电层，接触该第一欧姆接触金属层；以及

一反射层，接触该介电层并供接触该接合层。

5.如权利要求4所述的发光二极管，还包括：

一第二欧姆接触金属层，接触该二层半导体层之一；

20一第一焊垫，接触该介电层；以及

一第二焊垫，接触该第二欧姆接触金属层；其中该介电层为一透明导电介电层。

6.如权利要求2所述的发光二极管，其中该二层半导体层的材料选自铝镓铟磷化物(AlGaInP)与铝铟镓氮化物(AlInGaN)组成的族群。

257.如权利要求2所述的发光二极管，其中该接合层的材料选自金-锡合金、铅-锡合金与铟组成的族群。

8.一种形成一发光二极管的方法，包括：

提供一发光结构，该发光结构包括二层半导体层，该二层半导体层为不

同掺杂类型，该发光结构通入一电流时发光；

30提供一硅基板，该硅基板包括二个区域，该二个区域为不同掺杂类型；以及

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利用一接合层接合该发光结构与该硅基板，使最近的该半导体层与该区域为不同掺杂类型。

9.如权利要求8所述的方法，其中该掺杂类型包括p型与n型。

10.如权利要求9所述的方法，其中该提供该硅基板的步骤包括：

5扩散掺杂该硅基板，以形成至少该二个区域之一。

11.如权利要求9所述的方法，其中该提供该硅基板的步骤包括：

将一p型掺杂硅基板的一部分掺杂成n型。

12.如权利要求9所述的方法，其中该提供该硅基板的步骤包括：

将一n型掺杂硅基板的一部分掺杂成p型。

1013.如权利要求9所述的方法，其中该提供该发光结构的步骤包括：

于一暂时基板上形成该二层半导体层；

形成一第一欧姆接触金属层，接触该二层半导体层之一；

形成一介电层，接触该第一欧姆接触金属层；以及

形成一