CN1767098A 基于微机电系统的射频螺线管微电感的制作方法 (上海交通大学).docxVIP

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CN1767098A 基于微机电系统的射频螺线管微电感的制作方法 (上海交通大学).docx

[19]中华人民共和国国家知识产权局

[12]发明专利申请公开说明书

[21]申请号200510029318.3

[51]Int.Cl.

HO1F41/00(2006.01)

HO1L21/02(2006.01)

B81B1/00(2006.01)

[43]公开日2006年5月3日[11]公开号CN1767098A

[22]申请日2005.9.1

[21]申请号200510029318.3

[71]申请人上海交通大学

地址200240上海市闵行区东川路800号

周勇王西宁赵小林曹莹高孝裕

[72]发明人

[74]专利代理机构上海交达专利事务所代理人王锡麟王桂忠

权利要求书2页说明书8页

[54]发明名称

基于微机电系统的射频螺线管微电感的制作方法

[57]摘要

一种微电子技术领域的基于微机电系统的射频螺线管微电感的制作方法,采用微机电系统技术,对清洗干净的玻璃衬底进行处理,得到双面套刻对准符号,以便曝光时提高对准精度;采用准-LIGA技术和厚光刻胶工艺制备线圈和连接导体的光刻胶模具;采用电镀工艺解决线圈绕线和连接导体;采用聚酰亚胺材料做绝缘层和抛光技术解决衬底的平整性;采用物理方法去除电镀用的导体,避免湿法刻蚀工艺带来的钻蚀现象。本发明解决了螺线管线圈的立体绕线及高深宽比的电镀问题,使得微电感的射频性能大大提高,具有广泛的用途。

200510029318.3权利要求书第1/2页

2

1、一种基于微机电系统的射频螺线管微电感的制作方法,其特征在于,具体步骤如下:

(1)在清洗处理过的玻璃衬底上淀积Cr/Cu底层,甩正胶,将玻璃衬底单面曝光、显影后,采用物理方法刻蚀Cr/Cu底层,最后用丙酮去除所有的光刻胶;溅射氧化铝薄膜,得到双面套刻对准符号;

(2)在玻璃衬底的另一面淀积Cr/Cu底层,下面工艺均在此面上进行;

(3)甩正胶,曝光、显影,得到底层线圈图形,然后电镀铜底层线圈;

(4)甩正胶,曝光、显影,得到平面波导线的图形,电镀平面波导线,电镀材料为铜,然后去除所有的光刻胶;

(5)甩正胶,曝光、显影,得到引脚的图形,电镀引脚,电镀材料为铜;

(6)甩正胶,曝光、显影,得到电镀连接导体的光刻胶图形,电镀连接导体,电镀材料为铜;

(7)用丙酮去除所有的光刻胶后,用物理方法刻蚀Cr/Cu底层;

(8)甩聚酰亚胺、固化及抛光,甩聚酰亚胺,然后固化,抛光聚酰亚胺,直到连接导体和引脚暴露为止;

(9)溅射Cr/Cu底层;

(10)甩正胶,曝光与显影后,得到顶层线圈的图形,电镀顶层线圈,电镀材料为铜;

(11)去除顶层光刻胶后,用物理方法刻蚀Cr/Cu底层,最终得到基于微机电系统的射频螺线管微电感。

2、如权利要求1所述的基于微机电系统的射频螺线管微电感的制作方法,其特征是,所述的Cr/Cu底层制备工艺为:基底的真空为4×10??Pa,溅射条件选择为溅射Ar气压和溅射功率分别为0.67Pa和800W,氩气流量为

20SCCM。

200510029318.3权利要求书第2/2页

3

3、如权利要求1所述的基于微机电系统的射频螺线管微电感的制作方法,其特征是,步骤(1)中,淀积Cr/Cu底层,厚度为100nm;甩正胶AZ4000系列,光刻胶厚度为5~8μm,光刻胶烘干温度为95℃,时间为30分钟;溅射氧化铝薄膜,厚度300nm。

4、如权利要求1所述的基于微机电系统的射频螺线管微电感的制作方法,其特征是,步骤(3)中,甩正胶,光刻胶厚度为5~10μm,光刻胶烘干温度为95℃,时间为30分钟;电镀铜底层线圈,厚度为5~10μm。

5、如权利要求1所述的基于微机电系统的射频螺线管微电感的制作方

法,其特征是,步骤(4)中,甩正胶,光刻胶的厚度为10μm,光刻胶烘干温度为95℃,时间为60分钟;电镀平面波导线,厚度为10μm。

6、如权利要求1所述的基于微机电系统的射频螺线管微电感的制作方法,其特征是,步骤(5)中,甩正胶,光刻胶的厚度为60μm,光刻胶烘干温度为90℃,时间为120分钟;电镀引脚,厚度为60μm。

7、

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