CN1753590A 有机电激发光装置及其制作方法 （胜华科技股份有限公司）.docxVIP

[19]中华人民共和国国家知识产权局

[12]发明专利申请公开说明书

[21]申请号200410082482.6

[51]Int.Cl.

HO5B33/14(2006.01)HO5B33/202006.01)

HO5B33/12(2006.01)

HO5B33/102006.01)C09K11/06(2006.01)

[43]公开日2006年3月29日[11]公开号CN1753590A

[22]申请日2004.9.22

[21]申请号200410082482.6

[71]申请人胜华科技股份有限公司地址台湾省台中县

[72]发明人林艾瑄张俊钦林国森

[74]专利代理机构中科专利商标代理有限责任公司代理人周长兴

权利要求书2页说明书6页附图4页

[54]发明名称

有机电激发光装置及其制作方法

[57]摘要

一种有机电激发光装置，主要是于一阳极与一阴极之间设置一由高分子发光材料掺杂至少一种小分子发光材料所形成的光发射层，该发光装置的制法则于成膜作业的前段制作方面(包括光发射层的制作),以湿式制程为之，据以获得简化制程与成膜因素易于控制的优点。

200410082482.6权利要求书第1/2页

2

1.一种有机电激发光装置，其包含有：

一阳极；

5一阴极；以及

一介于该阳极与该阴极之间的光发射层，该光发射层由一高分子发

光材料掺杂至少一种小分子发光材料所形成。

2.依据权利要求1所述的有机电激发光装置，其特征在于，其中该高分子发光材料与该小分子发光材料的重量比为1:0.0001至1:0.1之间。

103.依据权利要求1所述的有机电激发光装置，其特征在于，其中该光发射层厚度在5至2500埃之间。

4.依据权利要求1所述的有机电激发光装置，其特征在于，其中该高分子发光材料选自聚{2,7-[(9,9-二烷基)芴]、苯乙烯(para-phenyleneethylene,PPV)或聚乙烯唑(poly-(N-vinylcarbazole),PVK)之一。

155.依据权利要求1所述的有机电激发光装置，其特征在于，其中该小分子发光材料选自C545T、Ir(ppy)?、DCJTB、Rubrene或PtOEP之一。

6.依据权利要求1所述的有机电激发光装置，其特征在于，该阳极与该光发射层之间，还包含有一以高分子材料制成的电洞传输层。

7.依据权利要求1所述的有机电激发光装置，其特征在于，该阴极

20与该光发射层之间，还包含有一以小分子材料制成的电子注入层。

8.依据权利要求7所述的有机电激发光装置，其特征在于，该电子注入层与该光发射层之间，还包含有一电洞阻隔层。

9.一种有机电激发光装置的制作方法，其包含下列步骤：

备料：

25取一上表面具有阳极的基板做为支撑材；

25

制作电洞传输层：

以高分子材料溶于有机溶剂中，经湿式制程于该基板上形成薄膜；

制作光发射层：

将高分子发光材料做为宿主以及至少一种小分子发光材料做为掺杂

30物而溶于有机溶剂中，复经湿式制程于该电洞传输层上形成薄膜；

200410082482.6权利要求书第2/2页

3

制作电洞阻隔层：

以成膜加工方式于该光发射层上制得一可将电洞局限于该光发射层

内的薄膜；

制作电子注入层：

5以小分子材料经成膜制作于该电洞阻隔层上形成薄膜；于该电子注入层上制作一阴极。

10.依据权利要求9所述的制作方法，其特征在于，用以制作该光发射层的高分子发光材料选自聚{2,7-[(9,9-二烷基)芴]、苯乙烯(para-phenyleneethylene,PPV)或聚乙烯唑(pol-(N-vinylcarbazole),PVK)之一；用

10以制作该光发射层的小分子发光材料选自C545T、Ir(ppy)?、DCJTB、Rubrene或PtOEP之一。

11.依据权利要求10所述的制作方法，其特征在于，其中该高分子发光材料与该小分子发光材料的重量